半导体封装件制造技术

一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片。二半导体芯片。二半导体芯片。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求2021年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0135302的优先权，通过引用将该韩国专利申请的全部公开内容并入本文。


[0003]实施例涉及一种半导体封装件。

技术介绍

[0004]由于需要电子产品的小尺寸、大容量和高性能，因此需要提高半导体封装件的集成度和速度。为此，正在开发包括多个半导体芯片(包括堆叠的半导体芯片)的半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。

技术实现思路

[0005]实施例涉及一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片，其中，所述多个接合焊盘均包括：焊盘部分，所述焊盘部分位于所述多个第二芯片焊盘中的相应的第二芯片焊盘上；以及贯穿通路部分，所述贯穿通路部分穿过所述第一半导体衬底并且所述贯穿通路部分的水平宽度小于所述焊盘部分的水平宽度。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：第一布线间绝缘层，所述第一布线间绝缘层围绕所述多个第一芯片焊盘；以及第二布线间绝缘层，所述第二布线间绝缘层围绕所述多个第二芯片焊盘，其中：所述接合绝缘材料层介于所述第一无源表面与所述第二布线间绝缘层之间，并且所述多个接合焊盘穿过所述第二布线间绝缘层和所述接合绝缘材料层。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中：所述焊盘部分被所述第二布线间绝缘层以及所述接合绝缘材料层的一部分围绕，并且所述贯穿通路部分被所述接合绝缘材料层的另一部分围绕。4.根据权利要求2所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括多个接合热焊盘，所述多个接合热焊盘被所述接合绝缘材料层围绕。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述多个接合热焊盘中的每一个接合热焊盘的水平宽度小于所述多个接合焊盘中的每一个接合焊盘的水平宽度。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述接合绝缘材料层的围绕所述多个接合焊盘的部分比所述接合绝缘材料层的围绕所述多个接合热焊盘的部分厚。7.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中：所述多个接合热焊盘均包括相对于所述焊盘部分的与所述接合绝缘材料层接触的底表面而言作为上部的前热焊盘部分和作为下部的后热焊盘部分，所述前热焊盘部分和所述后热焊盘部分被提供为一个整体，并且所述前热焊盘部分的垂直高度小于所述焊盘部分的垂直高度。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述第一半导体芯片的水平宽度大于所述第二半导体芯片的水平宽度，并且所述接合绝缘材料层的在垂直方向上与所述第二半导体芯片交叠的部分的厚度大于所述接合绝缘材料层的在所述垂直方向上不与所述第二半导体芯片交叠的部分的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述接合绝缘材料层包括顶表面和平坦
的底表面，所述顶表面包括对应于所述多个第二芯片焊盘的凹陷部分。10.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述多个接合焊盘中的每一个接合焊盘的焊盘部分和贯穿通路部分扩散接合以构成一个整体，并且所述多个接合热焊盘中的每一个接合热焊盘的前热焊盘部分和后热焊盘部分扩散接合以构成一个整体。11.一种半导体封装件，包括：高带宽存储器控制裸片，即HBM控制裸片，所述HBM控制裸片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；多个动态随机存取存储器裸片，即多个DRAM裸片，所述多个DRAM裸片均包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述多个DRAM裸片堆叠在所述HBM控制裸片上使得所述多个DRAM裸片中的每个DRAM裸片的所述第二有源表面面对所述第一无源表面，并且所述多个DRAM裸片中的每一个DRAM裸片的水平宽度小于所述HBM控制裸片的水平宽度；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层设置在所述HBM控制裸片与所述多个DRAM裸片中的一个DRAM裸片之间；多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述HBM控制裸片电连接到所述多个DRAM裸片；以及多个接合热焊盘，所述多个接合热焊盘被所述接合绝缘材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东俊，姜芸炳，金炳赞，朴点龙，宋乺智，李忠善，黄贤洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：