温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：多个第一导线；多个第二导线，其被设置在第一导线之上以与第一导线间隔开；可变电阻层，其被设置在第一导线上方和第二导线下方；第一层间电介质层和第二层间电介质层中的至少一个；第一接触和第二...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。