图案检测方法及图案检测系统技术方案

本公开涉及一种图案检测方法及图案检测系统。所述方法包括：获取第一待检测图案，并根据第一待检测图案确定第一设计图案；根据第一设计图案构建第一检测模型，以基于第一检测模型获取第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图；获取第二待检测图案，并根据第二待检测图案确定第二设计图案；根据第二设计图案构建第二检测模型，以基于第二检测模型获取第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图；将第一轮廓版图和第二轮廓版图重叠，检测第一轮廓版图和第二轮廓版图中相关目标结构待测边界之间的边界距离，并根据所述边界距离及预设检测规则确定是否调整第一待检测图案和/或第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。

【技术实现步骤摘要】
图案检测方法及图案检测系统


[0001]本公开涉及集成电路制造
，特别是涉及一种图案检测方法及图案检测系统。

技术介绍

[0002]随着集成电路工艺节点的不断发展，在动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的制造流程中，“剪切（CUT）”工艺得到了广泛应用。示例地，剪切（CUT）工艺可以表现为：先使用光刻工艺及刻蚀工艺图形化目标材料层，以形成多个待剪切图形；然后再使用光刻工艺及刻蚀工艺图形化前述待剪切图形，以将该待剪切图形切割为目标图形。如此，可以利用剪切工艺实现目标图形的制造。
[0003]但是，受限于集成电路特征尺寸的缩小、光刻成像系统的极限分辨率及光刻设备和刻蚀设备的工艺精度，容易使得待剪切图形及剪切图形的实际形成图案相较于初始设计图案存在偏差，导致出现待剪切图形未能被剪切图形有效切断或者待剪切图形被过剪切等缺陷，但现有的检测手段无法准确检测以上缺陷，从而容易限制集成电路的持续性发展。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种图案检测方法及图案检测系统，可以针对相关两个待检测图案的轮廓版图进行检测验证，以提高初始设计图案的精确度，从而能够在待检测图案的设计阶段便有效降低其在后续生产阶段出现缺陷的风险。
[0005]根据一些实施例，本公开提供了一种图案检测方法，包括如下步骤。
[0006]获取第一待检测图案，并根据第一待检测图案确定第一设计图案。
[0007]根据第一设计图案构建第一检测模型，以基于第一检测模型获取第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图。
[0008]获取第二待检测图案，并根据第二待检测图案确定第二设计图案。
[0009]根据第二设计图案构建第二检测模型，以基于第二检测模型获取第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图。
[0010]将第一轮廓版图和第二轮廓版图重叠，检测第一轮廓版图和第二轮廓版图中相关目标结构待测边界之间的边界距离，并根据所述边界距离及预设检测规则确定是否调整第一待检测图案和/或第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。
[0011]根据一些实施例，所述根据第一待检测图案确定第一设计图案，以及根据第二待检测图案确定第二设计图案，包括如下步骤。
[0012]获取对应待检测图案的最小特征尺寸。
[0013]根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差。
[0014]在待检测图案的各轮廓尺寸上增加蚀刻偏差，得到对应的设计图案。
[0015]根据一些实施例，所述根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差，包括：基于所述最小特征尺寸，获取刻蚀可实现条件和工艺窗口参数；根据所述刻蚀可实现条件和所述工艺窗
口参数，确定蚀刻偏差。
[0016]根据一些实施例，所述根据第一设计图案构建第一检测模型，以及根据第二设计图案构建第二检测模型，包括如下步骤。
[0017]根据对应的设计图案建立光学临近修正模型。
[0018]基于光学临近修正模型对设计图案进行光学临近修正，得到设计修正图案。
[0019]根据设计修正图案，构建对应的检测模型。
[0020]根据一些实施例，所述根据设计修正图案，构建对应的检测模型，包括：建立光刻模型和蚀刻模型。其中，光刻模型被配置为：对设计修正图案进行显影模拟，以获取显影轮廓版图。蚀刻模型被配置为：对显影轮廓版图进行蚀刻模拟，以获取蚀刻轮廓版图。
[0021]根据一些实施例，第一待检测图案对应的设计修正图案为第一设计修正图案，第一待检测图案对应的光刻模型为第一光刻模型，第一待检测图案对应的蚀刻模型为第一蚀刻模型。所述基于第一检测模型获取第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图，包括如下步骤。
[0022]基于第一光刻模型对第一设计修正图案进行显影模拟，获取初始第一显影轮廓版图。
[0023]将初始第一显影轮廓版图的各轮廓尺寸减去蚀刻偏差，得到第一显影轮廓版图。
[0024]基于第一蚀刻模型对第一显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第一蚀刻轮廓版图为第一轮廓版图。
[0025]根据一些实施例，第二待检测图案对应的设计修正图案为第二设计修正图案，第二待检测图案对应的光刻模型为第二光刻模型，第二待检测图案对应的所述蚀刻模型为第二蚀刻模型。所述基于第二检测模型获取第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图，包括如下步骤。
[0026]基于第二光刻模型对第二设计修正图案进行显影模拟，获取初始第二显影轮廓版图。
[0027]将初始第二显影轮廓版图的各轮廓尺寸减去蚀刻偏差，得到第二显影轮廓版图。
[0028]基于第二蚀刻模型对第二显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第二蚀刻轮廓版图为第二轮廓版图。
[0029]根据另一些实施例，第一待检测图案对应的设计修正图案为第一设计修正图案，第一待检测图案对应的光刻模型为第一光刻模型，第一待检测图案对应的蚀刻模型为第一蚀刻模型。所述基于第一检测模型获取第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图，包括如下步骤。
[0030]基于第一光刻模型对第一设计修正图案进行显影模拟，获取第一显影轮廓版图。
[0031]基于第一蚀刻模型对第一显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第一蚀刻轮廓版图。
[0032]将第一蚀刻轮廓版图的各轮廓尺寸减去蚀刻偏差，得到第一轮廓版图。
[0033]根据另一些实施例，第二待检测图案对应的设计修正图案为第二设计修正图案，第二待检测图案对应的光刻模型为第二光刻模型，第二待检测图案对应的所述蚀刻模型为第二蚀刻模型。所述基于第二检测模型获取第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图，包括如下步骤。
[0034]基于第二光刻模型对第二设计修正图案进行显影模拟，获取第二显影轮廓版图。
[0035]基于第二蚀刻模型对第二显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第二蚀刻轮廓版图。
[0036]将第二蚀刻轮廓版图的各轮廓尺寸减去蚀刻偏差，得到第二轮廓版图。
[0037]根据一些实施例，第一轮廓版图和第二轮廓版图中的相关目标结构包括：相交设置的第一结构和第二结构；其中，第一结构为第一轮廓版图中对应的目标结构，第二结构为第二轮廓版图中对应的目标结构。所述预设检测规则包括：第二结构的特征尺寸大于参考阈值时，所述边界距离大于第一阈值；第二结构的特征尺寸小于或等于参考阈值时，所述边界距离大于第二阈值；其中，第二阈值大于第一阈值。
[0038]根据一些实施例，第一待检测图案中对应的相关目标结构为第一初始结构，第二待检测图案中对应的相关目标结构为第二初始结构。所述图案检测方法还包括：于无需调整对应初始结构的轮廓版图时，将初始结构的轮廓版图输出为其工艺版图。
[0039]根据一些实施例，本公开还提供了一种图案检测系统，用于实施上述一些实施例中所述的图案检测方法。所述图案检测系统包括图案处理装置、模型构建装置和版图检测装置。
[0040]图案处理装置被配置为：获取第一待检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图案检测方法，其特征在于，包括：获取第一待检测图案，并根据所述第一待检测图案确定第一设计图案；根据所述第一设计图案构建第一检测模型，以基于所述第一检测模型获取所述第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图；获取第二待检测图案，并根据所述第二待检测图案确定第二设计图案；根据所述第二设计图案构建第二检测模型，以基于所述第二检测模型获取所述第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版图；将所述第一轮廓版图和所述第二轮廓版图重叠，检测所述第一轮廓版图和所述第二轮廓版图中相关目标结构待测边界之间的边界距离，并根据所述边界距离及预设检测规则确定是否调整所述第一待检测图案和/或所述第二待检测图案中相关目标结构的轮廓版图。2.根据权利要求1所述的图案检测方法，其特征在于，所述根据所述第一待检测图案确定第一设计图案，以及所述根据所述第二待检测图案确定第二设计图案，包括：获取对应待检测图案的最小特征尺寸；根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差；在所述待检测图案的各轮廓尺寸上增加所述蚀刻偏差，得到对应的设计图案；其中，所述根据所述最小特征尺寸确定蚀刻偏差，包括：基于所述最小特征尺寸，获取刻蚀可实现条件和工艺窗口参数；根据所述刻蚀可实现条件和所述工艺窗口参数，确定所述蚀刻偏差。3.根据权利要求2所述的图案检测方法，其特征在于，所述根据所述第一设计图案构建第一检测模型，以及所述根据所述第二设计图案构建第二检测模型，包括：根据对应的设计图案建立光学临近修正模型；基于所述光学临近修正模型对所述设计图案进行光学临近修正，得到设计修正图案；根据所述设计修正图案，构建对应的检测模型；其中，所述根据所述设计修正图案，构建对应的检测模型，包括：建立光刻模型和蚀刻模型；其中，所述光刻模型被配置为：对所述设计修正图案进行显影模拟，以获取显影轮廓版图；所述蚀刻模型被配置为：对所述显影轮廓版图进行蚀刻模拟，以获取蚀刻轮廓版图。4.根据权利要求3所述的图案检测方法，其特征在于，所述第一待检测图案对应的所述设计修正图案为第一设计修正图案，所述第一待检测图案对应的所述光刻模型为第一光刻模型，所述第一待检测图案对应的所述蚀刻模型为第一蚀刻模型；所述第二待检测图案对应的所述设计修正图案为第二设计修正图案，所述第二待检测图案对应的所述光刻模型为第二光刻模型，所述第二待检测图案对应的所述蚀刻模型为第二蚀刻模型；所述基于所述第一检测模型获取所述第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图，包括：基于所述第一光刻模型对所述第一设计修正图案进行显影模拟，获取初始第一显影轮廓版图；将所述初始第一显影轮廓版图的各轮廓尺寸减去所述蚀刻偏差，得到第一显影轮廓版图；基于所述第一蚀刻模型对所述第一显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第一蚀刻轮廓版图为所述第一轮廓版图；所述基于所述第二检测模型获取所述第二待检测图案对应的轮廓版图为第二轮廓版
图，包括：基于所述第二光刻模型对所述第二设计修正图案进行显影模拟，获取初始第二显影轮廓版图；将所述初始第二显影轮廓版图的各轮廓尺寸减去所述蚀刻偏差，得到第二显影轮廓版图；基于所述第二蚀刻模型对所述第二显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第二蚀刻轮廓版图为所述第二轮廓版图。5.根据权利要求3所述的图案检测方法，其特征在于，所述第一待检测图案对应的所述设计修正图案为第一设计修正图案，所述第一待检测图案对应的所述光刻模型为第一光刻模型，所述第一待检测图案对应的所述蚀刻模型为第一蚀刻模型；所述第二待检测图案对应的所述设计修正图案为第二设计修正图案，所述第二待检测图案对应的所述光刻模型为第二光刻模型，所述第二待检测图案对应的所述蚀刻模型为第二蚀刻模型；所述基于所述第一检测模型获取所述第一待检测图案对应的轮廓版图为第一轮廓版图，包括：基于所述第一光刻模型对所述第一设计修正图案进行显影模拟，获取第一显影轮廓版图；基于所述第一蚀刻模型对所述第一显影轮廓版图进行蚀刻模拟，获取第一蚀刻轮廓版图；将所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱旭东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：