一种集成薄膜电容器包括设置在第一电极和第二电极之间的电介质。该薄膜电容器包括设置在第一电极上的电介质，并且该电介质沿着由其特征尺寸所限定的线显示实质上均匀的热蚀变形态。也公开了一种包括该薄膜电容器的计算系统。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及板极电容器组件的制造。
技术介绍
在微电子器件的设计和运行中，功率传输是关注的重点。微电子器件包括 处理器小片(die)或者专用集成电路(ASIC)小片(die)的，充足的电流传 输、稳定的电压以及可接受的处理器瞬态响应是整个微电子器件封装梦寐以求 的特性。处理器芯片通常需要电容性功率源以响应操作过程中产生的瞬载。设置电 容器是为了满足小片的瞬载需求。薄膜电容器(TFC)通常是在两个电极之间 设置电介质，是通过蚀刻和激光打孔制造的。激光打孔成本高、费时，并且使 TFC的结构遭受很不均匀的热瞬变。在贯穿烧结的薄膜电容器(TFC)介质层形成接触通道的传统激光打孔处 理过程中，激光束的极端热瞬变在激光钻孔的切边产生热蚀变区域。激光打孔 的边缘因激光打孔过程而遭受极端热瞬变，但是与切边相反，烧结的TFC电介 质可以在烧结过程中保持不变。传统激光打孔过程可以导致激光打孔的边缘与 远离激光打孔的边缘的区域相比发生物理上或者化学上的变化。例如激光打孔 的边缘与远离激光打孔的边缘的区域相比可能脆化。因而，激光打孔的边缘的 热蚀变形态可能显示在烧结的电介质中产生的脆化迹象。可以由物理探测技术 等来测定脆化。由于极端热瞬变所导致的材料损耗或者改变，激光打孔的边缘 的化学性质也可能改变。因而，激光打孔的边缘的热蚀变形态可能在烧结的电介质中显示化学损耗迹象。改变了的化学性质可以由诸如扫描电子显微术(SEM)或者离子耦合等离子体(ICP)分析之类的显微技术来确定。并且由于激光打孔过程的极端热瞬变，激光打孔的边缘与远离区域相比甚至可以将挥发的杂散材料结合到TFC电介质的基质中。因而，激光打孔的边缘的热瞬变形 态可能在烧结的电介质中显示化学添加迹象。改变了的化学性质可以由诸如 SEM或者ICP分析之类的显微技术来确定。附图简述为了理解获得各种实施方式的方法，将参考附图给出上面简述的各实施方式的 更详细的描述。应当理解，这些附图仅仅描述典型的实施方式，它们并不一定按比 例绘制，因此不能被认为是对本专利技术范围的限制，将通过使用附图对一些实施方式 进行更具体更详细地描述和解释。在附图中附图说明图1A是根据一个实施方式的在处理过程中的薄膜电容器组件的截面正视图； 图1B是图1A所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图1C是图1B所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图1D是图1C所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图2A是根据一个实施方式的在处理过程中的薄膜电容器组件的截面正视图； 图2B是图2A所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图2C是图2B所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图2D是图2C所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图3A是根据一个实施方式的在处理过程中的薄膜电容器组件的截面正视图； 图3B是图3A所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图3C是图3B所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后的截面正视图3D是图3C所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图4是根据一个实施方式的已经处理过的薄膜电容器组件的俯视图，其中切除 了一部分；图5是包括根据一个实施方式形成的薄膜电容器组件的封装的截面正视图； 图6是根据各种实施方式的工艺流程图7是根据一个实施方式的描述计算系统的剖视立体图；以及 图8是根据一个实施方式的电子系统的示意图。详细描述以下描述包括的术语，诸如上、下、第一、第二等等，仅仅用于说明性的 目的并且不能被理解为限制性的。本文所述的器件或者制品的各实施方式可以 以多种位置和取向进行制造、使用或者装运。术语"小片(die)和"芯片(chip)" 一般是指作为通过各种工艺操作转变为期望的集成电路器件的基本工件的物 理对象。小片通常从晶片切割(singulate)下来的，并且晶片可以由半导体性、 非半导体性、或者两者结合的材料制成。"板"通常是作为芯片的安装基片的 树脂浸制玻璃纤维结构。现在参考附图，其中相同的结构用相同的附图标记表示。为了最清楚地示 出结构和工艺过程实施方式，本文所包括的附图是各实施方式的图示。因而， 所制造的结构的实际外观，例如在显微照片中，可能有所不同，但是仍然结合 了各实施方式的本质结构。此外，附图仅仅示出理解各实施方式所必需的结构。 为了保持附图的清晰，本领域中已知的其它结构未包括在内。图1A是根据一个实施方式的在处理过程中的薄膜电容器(TFC)组件100的 截面正视图。在这一处理瞬间的TFC组件100包括具有上表面112和下表面114 的第一电极110。介电薄膜116设置在第一电极110的上表面112。在一个实施方 式中，介电薄膜116是置于上表面112上的陶瓷粉末薄膜116。在一个实施方式中， 陶瓷粉末薄膜116包括作为主要组分的钛酸钡锶(BST)粉末。"主要组分"可以 指陶瓷粉末薄膜116是大约100XBST。也可以指陶瓷粉末薄膜116大部分是BST。 也可以指陶瓷粉末薄膜116是BST少于50X的介电材料，但是最普遍的介电材料 是从大约34XBST到大约49XBST，如果存在至少两种其它的电介质的话。在一个实施方式中，可以使用任何其它合适的陶瓷介质。对TFC组件100的加工处理通过将流体118按图案喷射在陶瓷粉末薄膜116 上的过程来描述。在一个实施方式中，从打印头120喷射出流体118。在一个实施 方式中，打印头120是喷墨打印头120。在一个实施方式中，流体118包括针对陶瓷粉末薄膜116的粘合剂，该粘合剂 被喷射成正图案。"正图案(positive pattern)"是指该图案将在进一步处理之后 保留，并且在未喷射流体118的区域中的陶瓷粉末薄膜116将被移除。在图1A中， 已经注入流体118的陶瓷粉末薄膜116的层面产生了浸渍陶瓷粉末薄膜117。图1B是图1A所描述的薄膜电容器组件在根据一个实施方式进一步处理之后 的截面正视图。打印头120已经移到第一电极110的右边。作为非限制性示例，图 1B中的TFC组件101在三个区域示出浸渍陶瓷粉末薄膜117，并且在两个区域中 示出未经处理的陶瓷粉末薄膜116。在一个实施方式中，生坯高k介电粉末薄膜116在第一电极110的上表面112 上形成，随后将流体118注入介电粉末薄膜116的选定区域内以形成浸渍陶瓷粉末 薄膜117。此后，实施对流体118的固化以使浸渍陶瓷粉末薄膜117更加抗移除。 在固化之后，洗去过程移除未被浸渍介电粉末薄膜116，但是浸渍陶瓷粉末薄膜117 抗移除。在一个实施方式中，流体118与介电粉末薄膜116接触之后固化是自生的， 因为介电粉末薄膜116催化了固化过程。在一个实施方式中，固化包括使流体118 内的成分聚合。在一个实施方式中，流体118是在浸渍陶瓷粉末薄膜117内通过热 处理固化的。在移除未被浸渍的介电粉末薄膜116之后，通过加热浸渍陶瓷粉末薄膜117 以实现其烧结而对TFC组件102进行进一步处理。在一个实施方式中，对浸渍陶 瓷粉末薄膜117的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种方法，包括： 按图案将流体喷射在第一电极上，其中所述图案是正图案或者负图案中之一； 处理所述流体以使所述正图案稳定或者破坏所述负图案的稳定性；以及 给所述第一电极配以第二电极，使得所述正图案设置在所述第一电极和所述第二 电极之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：H西赫，Y闵，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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