线端尺寸优化的光掩模版版图制造技术

本发明专利技术提供一种线端尺寸优化的光掩模版版图，包括第一图形区，所述第一图形包括若干第一直线段、相邻所述第一直线段之间的第一间隙、以及第二直线段，所述第一直线段沿第一方向平行设置，所述第二直线段沿垂直于所述第一方向的第二方向设置，所述第一直线段的第一端与所述第二直线段正交相连；其中，所述第一直线段和所述第二直线段均不透光，所述第一间隙透光。在垂直于偶极照明方向设置不透光的直线段，从而提升相对设置的线端图形的曝光能量宽裕度，并能得到尺寸更小的线端图形。并能得到尺寸更小的线端图形。并能得到尺寸更小的线端图形。

【技术实现步骤摘要】
线端尺寸优化的光掩模版版图


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，更具体地，涉及一种线端尺寸优化的光掩模版版图。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展；而半导体芯片的集成度越高，则半导体器件的临界尺寸(CD，Critical Dimension)越小。光学近距效应源于当光掩模版上节距非常靠近的掩模版线路图形以微影方式转移到晶圆的光刻胶上时，由于相邻图形的光波互相作用，亦即衍射，而造成最后转移到光刻胶上的图形扭曲失真，产生依图形形状而定的变动。在深亚微米器件中，由于线路图形非常密集，光学近距效应会降低光学系统对于曝光图形的分辨率。
[0003]图1示出了现有技术的光掩模版的版图示意图，如图1所示，在布局软件中，对于线端
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线端的二维图形，为了增加的工艺窗口，缩小线端
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线端的尺寸，需要在掩模版主图形的线端添加辅助图形，形成类似于榔头的线端形状。对于浸没光刻机而言，图形周期在单次曝光所能达到的极限为76nm，一倍掩模版上的榔头宽度64nm，相邻榔头的间距为12nm，即使相邻榔头的所述间距达到掩模版制作设备的极限12nm，单次曝光形成的线端
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线端的尺寸依旧很大，并且线端头部的尺寸会很小。图2示出了现有技术的光掩模版的版图仿真结果，如图2所示，曝光后形成具有尖头的线端形状。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供一种线端尺寸优化的光掩模版版图，包括：
[0005]第一图形区，所述第一图形包括若干第一直线段、相邻所述第一直线段之间的第一间隙、以及第二直线段；所述第一直线段沿第一方向平行设置，所述第二直线段沿第二方向设置，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一直线段的第一端与所述第二直线段正交相连；
[0006]其中，
[0007]所述第一直线段和所述第二直线段均不透光，所述第一间隙透光。
[0008]优选地，沿所述第二方向，所述第一直线段具有第一线宽，所述第一间隙具有第一隙宽；所述第一线宽及所述第一隙宽之和大于或等于76nm。
[0009]优选地，所述第一线宽及所述第一隙宽之和还小于或等于86nm。
[0010]优选地，沿所述第一方向，所述第二直线段具有第二线宽，所述第二线宽大于或等于30nm，且小于或等于80nm。
[0011]优选地，所述光包括沿所述第一方向平行的偶极照射光，所述第一图形区设于掩模版上，所述掩模版包括不透明的硅化钼玻璃掩模版。
[0012]优选地，还包括：第二图形区和第三间隙，所述第二图形区与所述第一图形区相对间隔设置；所述第二图形区包括若干第三直线段、相邻所述第三直线段之间的第二间隙、以及第四直线段；所述第三直线段沿第一方向平行设置，所述第四直线段沿垂直于所述第一方向的第二方向设置，所述第三直线段的第二端与所述第四直线段正交相连；所述第三间隙位于所述第二直线段与所述第四直线段之间；其中，
[0013]所述第三直线段和所述第四直线段均不透光，所述第二间隙透光。
[0014]优选地，沿所述第一方向，所述第三间隙具有第三隙宽，所述第三隙宽大于或等于75nm。
[0015]优选地，沿所述第二方向，所述第三直线段具有第三线宽，所述第二间隙具有垂直于所述第一方向的第二隙宽；所述第三线宽和所述第二隙宽之和大于或等于76nm。
[0016]优选地，沿所述第一方向，所述第四直线段具有第四线宽，所述第四线宽等于50nm；所述第三线宽等于40nm。
[0017]优选地，所述第一线宽等于所述第三线宽；所述第二线宽等于所述第四线宽。
[0018]从上述技术方案可以看出，本专利技术在若干第一直线段的第一端设置与所述第一直线段正交的第二直线段，所述第二直线段连接所述第一直线段，提升了与所述第一直线段的第一端相对设置的第三直线段的第三端之间的曝光能量宽裕度，并能得到尺寸更小的第一直线段和第三直线段。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1示出了现有技术的光掩模版的版图示意图；
[0021]图2示出了现有技术的光掩模版的版图仿真结果；
[0022]图3示出了根据本专利技术实施例的一种线端尺寸优化的光掩模版的版图示意图；
[0023]图4示出了根据本专利技术实施例的一种线端尺寸优化的光掩模版的版图仿真结果。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容作进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本专利技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本专利技术的限定。
[0025]上述及其它技术特征和有益效果，将结合实施例及附图3至图4对本专利技术实施例的一种线端尺寸优化的光掩模版的版图进行详细说明。图3示出了根据本专利技术实施例的一种线端尺寸优化的光掩模版的版图示意图；图4示出了根据本专利技术实施例的一种线端尺寸优化的光掩模版的版图仿真结果。
[0026]本专利技术的思路是在垂直于偶极照明方向设置不透光的直线段，从而提升相对设置的线端图形的曝光能量宽裕度，并能得到尺寸更小的线端图形。
[0027]本专利技术的一种线端尺寸优化的光掩模版版图包括第一图形区所示的仿真区域，如图3所示，图中上半部分图形仅为一示例，本专利技术对于第一图形区不作任何限制。
[0028]在本实施例中，所述第一图形区包括若干第一直线段、相邻所述第一直线段之间的第一间隙、以及第二直线段。所述第一直线段沿第一方向平行设置，所述第二直线段沿第二方向设置，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一直线段的第一端与所述第二直线段正交相连。图3中，第一方向为竖轴方向，第二方向为横轴方向，沿所述第一方向，各所述第一直线段的左右两侧均具有第一直线边隙，一第一直线段的右侧的第一直线边隙与相邻的右侧的另一第一直线段的左侧的第一直线边隙拼接形成所述第一间隙，或一第一直线段的左侧的第一直线边隙与相邻的左侧的另一第一直线段的右侧的第一直线边隙也拼接形成所述第一间隙。最外侧的所述第一直线段的外侧也具有第一直线边隙，如图3所示，最左侧的第一直线段的左侧及最右侧的第一直线段的右侧均具有所述第一直线边隙。在另一实施例中，一所述第一图形区所示的所述仿真区域最外侧的第一直线段的左侧或右侧的所述第一直线边隙与另一第一图形区所示的所述仿真区域最外侧的第一直线段的右侧或左侧的所述第一直线边隙相拼接，若干所述第一图形区所示的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线端尺寸优化的光掩模版版图，其特征在于，包括：第一图形区，所述第一图形包括若干第一直线段、相邻所述第一直线段之间的第一间隙、以及第二直线段；所述第一直线段沿第一方向平行设置，所述第二直线段沿第二方向设置，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一直线段的第一端与所述第二直线段正交相连；其中，所述第一直线段和所述第二直线段均不透光，所述第一间隙透光。2.如权利要求1所述的线端尺寸优化的光掩模版版图，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一直线段具有第一线宽，所述第一间隙具有第一隙宽；所述第一线宽及所述第一隙宽之和大于或等于76nm。3.如权利要求2所述的线端尺寸优化的光掩模版版图，其特征在于，所述第一线宽及所述第一隙宽之和还小于或等于86nm。4.如权利要求2所述的线端尺寸优化的光掩模版版图，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二直线段具有第二线宽，所述第二线宽大于或等于30nm，且小于或等于80nm。5.如权利要求1所述的线端尺寸优化的光掩模版版图，其特征在于，所述光包括沿所述第一方向平行的偶极照射光，所述第一图形区设于掩模版上，所述掩模版包括不透明的硅化钼玻璃掩模版。6.如权利要求1所述的线端尺寸优化的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳丽，伍强，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：