喷洒装置及薄膜沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术为一种喷洒装置及薄膜沉积设备，主要包括一第一输送管线、一第二输送管线、一扩散单元、一环形扩散单元。第一及第二输送管线连接扩散单元，分别将第一及第二前驱物输送至扩散单元的第一及第二进气管输送，使得第一及第二前驱物输送至扩散单元的下方。环形扩散单元设置在扩散单元的周围，并包括一第一环形输送管线及复数个第三进气管，其中第三进气管朝向扩散单元的下方，并用以将第二前驱物输送至扩散单元的下方。扩散单元的下方。扩散单元的下方。

【技术实现步骤摘要】
喷洒装置及薄膜沉积设备


[0001]本专利技术有关于一种喷洒装置及薄膜沉积设备，可用以在喷洒装置的下方输出分布均匀及浓度相近的两种前驱物。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的不断进步，目前电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。电子产品中晶体管的微缩技术至关重要，随着晶体管的尺寸缩小，可减少电流传输时间及降低耗能，以达到快速运算及节能的目的。在现今微小化的晶体管中，部分关键的薄膜几乎仅有几个原子的厚度，而原子层沉积制程则是发展这些微量结构的主要技术之一。
[0003]原子层沉积制程是一种将物质以单原子的形式一层一层地镀于基板表面的技术，原子层沉积的主要反应物有两种化学物质，通常被称作前驱物，并将两种前驱物依序传送至反应空间内。
[0004]具体而言，先将第一前驱物输送至反应空间内，使得第一前驱物被导引至基板表面，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止。将清洁气体输送至反应空间内，并抽出反应空间内的气体，以去除反应空间内残余的第一前驱物。将第二前驱物注入反应空间，使得第二前驱物与化学吸附于基板表面的第一前驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷洒装置，其特征在于，包括：至少一第一输送管线，用以输送一第一前驱物；至少一第二输送管线，用以输送一第二前驱物；一扩散单元，包括复数个第一进气管及复数个第二进气管，其中该复数个第一进气管流体连接该第一输送管线，并用以将该第一前驱物输送至该扩散单元的下方，而该复数个第二进气管流体连接该第二输送管线，并用以将该第二前驱物输送至该扩散单元的下方；及一环形扩散单元，设置在该扩散单元的周围，并位于该扩散单元的下方，该环形扩散单元包括至少一第一环形输送管线及复数个第三进气管，其中该第一环形输送管线流体连接该复数第三进气管，该第一环形输送管线经由该第三进气管将该第二前驱物输送至该扩散单元的下方。2.根据权利要求1所述的喷洒装置，其特征在于，其中该环形扩散单元包括一第二环形输送管线及复数个第四进气管，该第二环形输送管线环绕设置在该第一环形输送管线的周围，而该复数个第四进气管则流体连接该第二环形输送管线，该第二环形输送管线用以将一非反应气体输送至该复数个第四进气管。3.根据权利要求2所述的喷洒装置，其特征在于，其中该第三进气管朝向该第一进气管或该第二进气管的延伸方向，并相对于该第一进气管或该第二进气管倾斜，而该第四进气管则平行该第一进气管或该第二进气管。4.根据权利要求1所述的喷洒装置，其特征在于，其中该第一输送管线的截面积大于该第二输送管线，且该第二输送管线设置在该第一输送管线内部。5.根据权利要求1所述的喷洒装置，其特征在于，其中该第一输送管线包括一第一管部、一第二管部及一延伸管线，该第一管部经由该第二管部连接该扩散单元，其中该第二管部的截面积大于该第一管部，而该延伸管线则设置在该第一管部及部分该第二管部内，并于该第一管部及该第二管部上缠绕设置一线圈。6.根据权利要求1所述的喷洒装置，其特征在于，其中该扩散单元包括：一第一扩散板，该第一进气管贯穿该第一扩散板；一第二扩散板，包括至少一扩散空间，其中该第一进气管贯穿该第二扩散板；至少一冷却管线，设置在该第一扩散板或该第二扩散板内部；及一第三扩散板，该第一进气管及该第二进气管贯穿该第三扩散板，其中该第一扩散...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，郭大豪，易锦良，
申请(专利权)人：天虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：