一种自动多片平板硅外延设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体硅片化学气相薄膜沉积CVD设备领域的一种自动多片平板硅外延设备，包括机箱、传输腔模块、工艺腔模块、Load Lock腔、装载腔模块、单元洁净系统和冷却系统，其中，工艺腔模块包括反应腔上盖、升降装置、石英腔室、加热模块、反应腔下盖和旋转机构；反应腔上盖、石英腔室及反应腔下盖安装在升降装置上，加热模块与反应腔下盖连接，加热模块内设置有石墨基座；石英腔室位于反应腔上盖与反应腔下盖之间，旋转机构与石墨基座连接。本发明专利技术通过优化的气体控制，温度控制以及缺陷控制，实现了高可靠50μm

【技术实现步骤摘要】
一种自动多片平板硅外延设备


[0001]本专利技术涉及半导体硅片化学气相薄膜沉积CVD设备领域，特别涉及一种自动多片平板硅外延设备，以及适配车规级厚外延工艺的设备。

技术介绍

[0002]在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。硅外延生长方法，又可分为气相外延、液相外延、固相外延。目前国际上广泛的采用化学气相沉积生长方法，满足30μm厚度以下的外延硅片生长的完整性、器件结构的多样化，装置可控简便，批量生产、纯度的保证、均匀性要求。
[0003]现有技术通常要求：化学气相外延生长使用的设备装置通常称谓外延生长反应炉。一般主要由传输系统、气路输送系统、电子控制系统、反应腔工艺系统、排气系统四部分组成。根据反应室的结构，硅外延生长系统有平板式和桶式。平板式多片外延炉，外延生长时基座不断转动，气流平行与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动多片平板硅外延设备，其特征在于，包括机箱、传输腔模块、工艺腔模块、Load Lock腔、装载腔模块、单元洁净系统和冷却系统；所述传输腔模块、工艺腔模块、Load Lock腔和装载腔模块与所述机箱内；所述传输腔模块一端连接所述单元洁净系统，另一端与所述Load Lock腔连接；所述Load Lock腔与所述装载腔模块连接；所述单元洁净系统与所述工艺腔模块连接；所述工艺腔模块包括反应腔上盖、升降装置、石英腔室、加热模块、反应腔下盖和旋转机构；所述反应腔上盖、石英腔室及反应腔下盖安装在所述升降装置上，所述加热模块与所述反应腔下盖连接，所述石英腔室采用气流多进气孔结构，所述石英腔室内设置有石墨基座；所述旋转机构与所述石墨基座连接；所述石英腔室位于所述反应腔上盖与反应腔下盖之间；所述冷却系统包括水冷系统和风冷系统；所述水冷系统与所述工艺腔模块连接；所述风冷系统连接在所述机箱的一侧。2.根据权利要求1所述的一种自动多片平板硅外延设备，其特征在于，所述装载腔模块包括cassette平台和第一机械手...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国，龚江川，李可，阿尼托，
申请(专利权)人：上海衍梓智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：