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本发明涉及半导体硅片化学气相薄膜沉积CVD设备领域的一种自动多片平板硅外延设备，包括机箱、传输腔模块、工艺腔模块、Load Lock腔、装载腔模块、单元洁净系统和冷却系统，其中，工艺腔模块包括反应腔上盖、升降装置、石英腔室、加热模块、反应腔...
该专利属于上海衍梓智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海衍梓智能科技有限公司授权不得商用。

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