一种ALD反应腔保养方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种ALD反应腔保养方法，包括如下步骤：设定反应腔温度178

【技术实现步骤摘要】
一种ALD反应腔保养方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片
，具体涉及一种ALD反应腔保养方法。

技术介绍

[0002]氮化镓基发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有功能损耗低、寿命长、可靠性好等优点被广泛应用于信号灯、背光源显示、汽车照明及室内照明等领域。
[0003]ALD(原子层沉积工艺)作为Mini LED制程中极为重要的工序，对Mini LED的性能起着决定性的影响。
[0004]目前ALD设备的反应腔在成膜到一定的厚度时，需要将整个反应腔拆下，送到专门的喷砂厂进行喷砂以清除反应腔内壁上的AL2O3。这样不仅浪费时间，多次的喷砂也会对反应腔造成一定的损伤。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种ALD反应腔保养方法，提高反应腔内壁上AL2O3的清除效率，避免反应腔损坏。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种ALD反应腔保养方法，包括如下步骤：
[0007]S1：开启反应腔排气阀，使用氮气对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ALD反应腔保养方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：开启反应腔排气阀，使用氮气对反应腔进行吹扫；S2：设定反应腔温度178
‑
230度，向反应腔通入HCL气体；关闭反应腔排气阀，等待HCL反应40
‑
36000S；S3：设定反应腔温度178
‑
230度，开启反应腔排气阀，使用氮气对反应腔进行吹扫；S4：完成ALD设备的反应腔的保养。2.根据权利要求1所述的ALD反应腔保养方法，其特征在于，所述S1具体为：开启反应腔排气阀，使用600
‑
1400sccm氮气对反应腔进行吹扫。3.根据权利要求1所述的ALD反应腔保养方法，其特征在于，所述S1具体为：开启反应腔排气阀，使用氮气对反应腔进行吹扫，持续3
‑
7分钟。4.根据权利要求1所述的ALD反应腔保养方法，其特征在于，所述S2具体为：设定反应腔温度180
‑
230度，向反应腔通入2000
‑
4000sccm的HCL气体，持续10

【专利技术属性】
技术研发人员：胡宇翔，付蓉蓉，李文浩，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：