半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法制造方法及图纸

本技术包括一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：第一层叠结构，其在限定有单元区域和减薄区域的下结构上方，其包括多条第一选通线；第一层间绝缘结构，其在第一层叠结构上方；第二层叠结构，其在第一层间绝缘结构上方；以及多个垂直插塞，其在单元区域中穿过第一层叠结构、第一层间绝缘结构和第二层叠结构。第一层间绝缘结构和第二层叠结构。第一层间绝缘结构和第二层叠结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法


[0001]本公开涉及半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及一种包括多条层叠选通线的半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器装置可包括当电源被切断时丢失所存储的数据的易失性存储器装置以及即使电源被切断也维持所存储的数据的非易失性存储器装置。
[0003]在易失性存储器装置和非易失性存储器装置当中，随着诸如移动电话和笔记本计算机的便携式电子装置的使用增加，非易失性存储器装置更需要具有更高的容量和更高的集成度。
[0004]因此，在基板上将存储器单元形成为单层的二维非易失性存储器装置的集成度改进达到极限，已提出了存储器单元在基板上垂直层叠的三维结构的非易失性存储器装置。

技术实现思路

[0005]根据本公开的实施方式，一种半导体存储器装置可包括：第一层叠结构，其在限定有单元区域和减薄区域的下结构上方，其包括多条第一选通线；第一层间绝缘结构，其在第一层叠结构上方；第二层叠结构，其在第一层间绝缘结构上方并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一层叠结构，该第一层叠结构在限定有单元区域和减薄区域的下结构上方，该第一层叠结构包括多条第一选通线；第一层间绝缘结构，该第一层间绝缘结构在所述第一层叠结构上方；第二层叠结构，该第二层叠结构在所述第一层间绝缘结构上方；以及多个垂直插塞，所述多个垂直插塞在所述单元区域中穿过所述第一层叠结构、所述第一层间绝缘结构和所述第二层叠结构。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在所述减薄区域中所述第一层间绝缘结构的边缘具有台阶形状。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括在所述第一层间绝缘结构上方的第二层间绝缘结构。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，在所述减薄区域中所述第二层间绝缘结构的边缘具有台阶形状。5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：形成在所述第一选通线之间以及第二选通线之间的层间绝缘层。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第一层间绝缘结构和所述第二层间绝缘结构由与所述层间绝缘层相同材料的层形成，并且其中，形成在所述减薄区域中的所述第一层叠结构和所述第二层叠结构的边缘形成为台阶形状。7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第一层间绝缘结构和所述第二层间绝缘结构比各个所述层间绝缘层厚。8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一层间绝缘结构的台阶形状的高度和距离不同于所述第一层叠结构中的除了所述第一层间绝缘结构之外的部分的台阶形状的高度和距离，并且所述第二层间绝缘结构的台阶形状的高度和距离不同于所述第二层叠结构中的除了所述第二层间绝缘结构之外的部分的台阶形状的高度和距离。9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，各个所述垂直插塞包括沿着垂直穿过所述第一层叠结构和所述第二层叠结构的垂直孔的内壁依次形成的存储器层、沟道层和垂直绝缘层。10.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一层间绝缘结构和所述第二层间绝缘结构具有至少两个或更多个台阶形状。11.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：形成在所述第一层间绝缘结构和所述第二层间绝缘结构之间的第三层间绝缘结构。12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第三层间绝缘结构比各个层间绝缘层厚。13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述垂直插塞还包括形成在穿过所述第三层间绝缘结构的部分中的第三垂直插塞。14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述第三垂直插塞将第一部分和第二部分连接；
其中，所述第一部分穿过所述第一层叠结构和所述第一层间绝缘结构；并且其中，所述第二部分穿过包括在所述垂直插塞中的沟道层当中的所述第二层叠结构和所述第二层间绝缘结构。15.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，各个所述垂直插塞包括：垂直穿过所述第一层叠结构和所述第二层叠结构的垂直孔；沿着所述垂直孔的内壁形成的存储器层；沿着所述存储器层的内壁形成的沟道层；形成在由所述沟道层围绕的区域中的垂直绝缘层；以及在垂直方向上垂直分离所述垂直绝缘层、所述沟道层和所述存储器层的垂直沟道分离结构。16.一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：在限定有单元区域和减薄区域的下结构上形成第一层叠结构；在所述第一层叠结构上方形成第一层间绝缘结构；在所述第一层间绝缘结构上方形成第二层间绝缘结构；在所述第二层间绝缘结构上形成第二层叠结构；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔元根，金场院，张晶植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：