包含掩模版调整的存储器装置结构和形成方法制造方法及图纸

本申请涉及一种包含掩模版调整的存储器装置结构和形成方法。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：存储器单元串，其具有延伸穿过与第一电介质材料层级交错的第一导电材料层级的相应柱；导电结构，其形成在所述存储器单元串上方且延伸穿过与第二电介质材料层级交错的第二导电材料层级；电介质结构，其位于所述存储器单元串上方的相应沟槽中且将所述第二导电材料层级划分为彼此电分离的部分；并且所述电介质结构被定位成使得两个邻近电介质结构之间的距离不同于两个其它邻近电介质结构之间的距离。于两个其它邻近电介质结构之间的距离。于两个其它邻近电介质结构之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
包含掩模版调整的存储器装置结构和形成方法


[0001]本文描述的实施例涉及包含存储器装置的结构的形成的存储器装置。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于计算机和许多其它电子产品中。存储器装置通常具有用于存储信息(例如，数据)的多个存储器单元及用于将信息(以电信号形式)携载到存储器单元及从存储器单元携载信息的数据线。在存储器装置的制造期间，通常将存储器单元划分为物理块。在形成存储器装置的一些传统工艺中，应力和工艺变化可能导致块弯曲误差，其中块的结构和块中的其它特征可能弯曲。这可能会导致块中的特征偏离其预期位置。如果这种块弯曲误差未被处理或未被检测到，则在存储器装置中可能发生对结构、操作或两者的损坏。

技术实现思路

[0003]在一方面，本公开涉及一种设备，其包括：与第一电介质材料层级交错的第一导电材料层级；存储器单元串，其包含延伸穿过所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级的相应柱；第二导电材料层级，其与第二电介质材料层级交错且位于所述第一导电材料层级与所述第一电介质材料层级上方；导电结构，其分别延伸穿过所述第二导电材料层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一导电材料层级，其与第一电介质材料层级交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级的相应柱；第二导电材料层级，其与第二电介质材料层级交错且位于所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级上方；导电结构，其分别延伸穿过所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级且电耦合到所述柱；电介质结构，其位于所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级中的相应沟槽中且位于所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级上方；所述电介质结构将所述第二导电材料层级划分为彼此电分离的部分，所述部分包含第一部分和第二部分；所述第一部分位于所述电介质结构的第一电介质结构和第二电介质结构之间并与其邻近，所述第二部分位于所述电介质结构的所述第二电介质结构和第三电介质结构之间并与其邻近；并且所述第一电介质结构位于距所述第二电介质结构的第一距离处，所述第二电介质结构位于距所述第三电介质结构的第二距离处，其中所述第一距离不同于所述第二距离。2.根据权利要求1所述的设备，其中：所述第一部分中的所述第二导电材料层级包含导电材料层级，所述导电材料层级在从所述第一电介质结构到所述第二电介质结构的方向上具有宽度；并且所述宽度大于所述第一距离和所述第二距离之间的差。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括存储器装置，且其中：所述存储器单元串、所述导电结构和所述电介质结构包含在所述存储器装置的存储器块中；所述第二导电材料层级的所述第一部分包含在所述存储器装置的第一子块中；并且所述第二导电材料层级的所述第二部分包含在所述存储器装置的第二子块中。4.一种设备，其包括：第一导电材料层级，其与第一电介质材料层级交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级的相应柱；第二导电材料层级，其与第二电介质材料层级交错且位于所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级上方；电介质结构，其位于所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级中的相应沟槽中且位于所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级上方；所述电介质结构将所述第二导电材料层级划分为彼此电分离的部分，所述部分包含第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述电介质结构的第一电介质结构和第二电介质结构之间并与其邻近，所述第二部分位于所述电介质结构的所述第二电介质结构和第三电介质结构之间并与其邻近，且所述第三部分邻近所述第三电介质结构定位；
导电结构，其分别延伸穿过所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级且电耦合到所述柱；所述导电结构包含分别延伸穿过所述第二导电材料层级的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的第一导电结构、第二导电结构和第三导电结构；所述第一导电结构、所述第二导电结构和所述第三导电结构分别包含第一导电触点、第二导电触点和第三导电触点；以及数据线，其耦合到所述第一导电触点、所述第二导电触点和所述第三导电触点；并且所述第一导电触点位于距所述第二导电触点的第一距离处，所述第二导电触点位于距所述第三导电触点的第二距离处，其中所述第一距离不同于所述第二距离。5.根据权利要求4所述的设备，其中：所述第一电介质结构位于距所述第二电介质结构的第三距离处；并且所述第二电介质结构位于距所述第三电介质结构的第四距离处，且所述第三距离不同于第四距离。6.根据权利要求4所述的设备，其中所述设备包括存储器装置，且其中：所述存储器单元串、所述导电结构和所述电介质结构包含在所述存储器装置的存储器块中；并且所述第一导电触点、所述第二导电触点和所述第三导电触点分别包含在所述存储器装置的第一子块、第二子块和第三子块中。7.根据权利要求4所述的设备，其中所述设备包括存储器装置，且其中：所述存储器单元串、所述导电结构和所述电介质结构包含在所述存储器装置的存储器块中；所述第二导电材料层级的所述第一部分包含在所述存储器装置的第一子块中；并且所述第二导电材料层级的所述第二部分包含在所述存储器装置的第二子块中。8.根据权利要求7所述的设备，其中：所述第一部分中的所述第二导电材料层级包含导电材料层级，所述导电材料层级在从所述第一电介质结构到所述第二电介质结构的方向上具有宽度；并且所述宽度大于所述第一距离和所述第二距离之间的差。9.一种设备，其包括：第一导电材料层级，其与第一电介质材料层级交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级的相应柱；第二导电材料层级，其与第二电介质材料层级交错且位于所述第一导电材料层级和所述第一电介质材料层级上方；电介质结构，其位于所述第一导电材料层级、所述第一电介质材料层级、所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级中的相应沟槽中；所述电介质结构将所述第一导电材料层级、所述第一电介质材料层级、所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级划分为存储器块；所述第一导电材料形成所述存储器单元串的控制栅极，所述控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分；
导电触点，其分别延伸穿过所述第二导电材料层级和所述第二电介质材料层级且电耦合到所述控制栅极；所述导电触点包含分别耦合到第一控制栅极、第二控制栅极和第三控制栅极的第一导电触点、第二导电触点和第三导电触点；并且所述第一导电触点位于距所述第二导电触点的第一距离处，所述第二导电触点位于距所述第三导电触点的第二距离处，其中所述第一距离不同于所述第二距离。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二导电触点位于所述第一导电触点和所述第三导电触点之间，且所述第一距离小于所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡怡，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：