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本申请涉及一种包含掩模版调整的存储器装置结构和形成方法。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：存储器单元串，其具有延伸穿过与第一电介质材料层级交错的第一导电材料层级的相应柱；导电结构，其形成在所述存储器单元串上方且延...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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