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本技术包括一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：第一层叠结构，其在限定有单元区域和减薄区域的下结构上方，其包括多条第一选通线；第一层间绝缘结构，其在第一层叠结构上方；第二层叠结构，其在第一层间绝缘结构上...
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