一种半导体表面的镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体表面的镀膜方法，包括：对待镀膜的半导体进行预清洗处理；将清洗后的半导体置于真空室内，向真空室内通入甲烷或乙烯，启动石墨靶，在半导体表面沉积碳涂层；根据预设的蚀刻气体、离子能量、蚀刻角度和蚀刻深度，对碳涂层进行蚀刻；向真空室内通入甲烷或乙烯，启动石墨靶，在蚀刻后的碳涂层表面沉积DLC涂层。采用本发明专利技术的技术方案能够在保证半导体表面具有较薄的镀膜层的同时，保证镀膜层具有良好的附着力。镀膜层具有良好的附着力。镀膜层具有良好的附着力。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体表面的镀膜方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体表面的镀膜方法。

技术介绍

[0002]随着半导体的体积越来越小，对其表面的膜的厚度要求越来越薄。半导体表面常用的镀膜层为DLC涂层，然而，在镀DLC涂层之前，往往需要在半导体的表面上先涂覆一层粘着层，厚度一般为1nm～2nm。这两种不同材料的涂层相叠加，很难使得半导体表面镀膜的总厚度低于2nm，因为低于1nm的单膜是网状的不连续的。虽然直接在半导体表面涂覆一层DLC涂层可以进一步减少总覆膜厚度，但是，其附着力变小，这种方式镀的DLC涂层在经过一段时间的试验后很容易脱落，因为DLC涂层在半导体表面上的附着力，特别是在极尖(金属材料)上的附着力很弱。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体表面的镀膜方法，能够在保证半导体表面具有较薄的镀膜层的同时，保证镀膜层具有良好的附着力。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体表面的镀膜方法，包括：
[0005]对待镀膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体表面的镀膜方法，其特征在于，包括：对待镀膜的半导体进行预清洗处理；将清洗后的半导体置于真空室内，向真空室内通入甲烷或乙烯，启动石墨靶，在半导体表面沉积碳涂层；根据预设的蚀刻气体、离子能量、蚀刻角度和蚀刻深度，对碳涂层进行蚀刻；向真空室内通入甲烷或乙烯，启动石墨靶，在蚀刻后的碳涂层表面沉积DLC涂层。2.如权利要求1所述的半导体表面的镀膜方法，其特征在于，所述对待镀膜的半导体进行预清洗处理，具体包括：将待镀膜的半导体置于真空室内，对真...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光荣，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：