一种晶圆片外延层加工的补液方法技术

一种晶圆片外延层加工的补液方法，包括：生长端，其构置有生长炉；辅助端，其构置有主腔室、次腔室、以及辅腔室；步骤包括：相邻两个晶圆片之间的加工过程中，当上一个晶圆片外延层加工结束时，由生长端持续向主腔室发出补液信号，辅助端判断主腔室是否需要补液；若不需要补液，等待下一个晶圆片外延层加工；若需要补液，向主腔室添加溶液；其中，在不需要补液时，保持生长炉与主腔室贯通、以及主腔室与次腔室贯通。本方法可保证外延晶圆片炉间压力波动由现有的

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片外延层加工的补液方法


[0001]本专利技术属于半导体器件生产
，尤其是涉及一种晶圆片外延层加工的补液方法。

技术介绍

[0002]外延工艺是指在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程，从广义上讲，外延也是一种CVD(化学气相沉积)工艺。新生的单晶层称为外延层，长了外延层的衬底称为外延片。工艺过程就是生长气体进入生长室，通过高温热分解和还原反应，在衬底表面沉积生长一层硅单晶薄膜层，因为原子间的引力，使得生成的硅单晶薄膜附着在衬底上。其中，生长气体为氢气(H2)携带TCS(三氯化硅SiHCl3溶液)所形成的气体。
[0003]硅外延材料作为半导体器件的主要材料，支撑着当代微电子产业的发展。随着IC制造向更小特征线宽尺寸和更薄外延层的发展，集成电路器件对于外延片的质量要求不断增加，也对外延系统的功能和外延性能提出了更高的要求，诸如外延层厚度的均匀性控制的要求，越来越多的外延工艺需要采用单片式的硅外延加工设备。
[0004]在现有外延加工设备中，常由于补液方法不合理，导致氢气携带TCS的流量和压力不稳定，导致晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片外延层加工的补液方法，包括：生长端，用于晶圆片外延层生长，其构置有生长炉；辅助端，用于向生长端提供生长气体，其构置有存储生长气体的主腔室、向主腔室提供氢气的次腔室、以及向主腔室提供TCS的辅腔室；其特征在于，步骤包括：相邻两个晶圆片之间的加工过程中，当上一个晶圆片外延层加工结束时，由生长端持续向主腔室发出补液信号，辅助端判断主腔室是否需要补液；若不需要补液，等待下一个晶圆片外延层加工；若需要补液，向主腔室添加溶液；其中，在不需要补液时，保持生长炉与主腔室贯通、以及主腔室与次腔室贯通。2.根据权利要求1所述的一种晶圆片外延层加工的补液方法，其特征在于，当主腔室中TCS的液面处于高液位时，则不需要补液；当主腔室中TCS的液面处于低液位时，则需要补液。3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆片外延层加工的补液方法，其特征在于，当需要补液时，包括：主腔室收到补液信号ON之后，延时0.1
‑
0.3s，连通辅腔室与主腔室开始补液，并停止在主腔室内鼓泡；补液时，按照预设的补液信号和泄压信号，交替地进行操作，直至主腔室中的TCS液面达到高液位。4.根据权利要求3所述的一种晶圆片外延层加工的补液方法，其特征在于，补液时，交替的补液时间与泄压时间相同。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈渊凌，罗晖，李果，谭永麟，孙晨光，王彦君，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：