温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体表面的镀膜方法，包括：对待镀膜的半导体进行预清洗处理；将清洗后的半导体置于真空室内，向真空室内通入甲烷或乙烯，启动石墨靶，在半导体表面沉积碳涂层；根据预设的蚀刻气体、离子能量、蚀刻角度和蚀刻深度，对碳涂层进行蚀刻；向真...
该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。