【技术实现步骤摘要】
金属氧化物层的去除方法及半导体结构的制备方法
[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种金属氧化物层的去除方法、半导体结构的制备方法及半导体设备。
技术介绍
[0002]随着半导体工艺技术的不断改进，器件的尺寸也不断缩小。随着线宽的逐渐减小，金属线的阻值也变的越来越大，因此器件对金属线的要求越来越高。
[0003]而由于金属比较活泼，容易被空气中的氧气氧化为金属氧化物，如果不及时祛除，将会提高器件的阻值，金属结构中电阻、电容带来的RC耦合（阻容耦合）寄生效应迅速增加，影响了器件的运行速度。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对上述的问题提供一种金属氧化物层的去除方法、半导体结构的制备方法及半导体设备。
[0005]为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种金属氧化物层的去除方法，所述金属氧化物层的去除方法包括：将待处理半导体结构置于工艺腔室内；所述待处理半导体结构具有金属结构，所述金属结构的表面形成有金属氧化物层；所述工艺腔室内部与离子管道相连通；向所述离子管道内施加电磁场...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述金属氧化物层的去除方法包括：将待处理半导体结构置于工艺腔室内；所述待处理半导体结构具有金属结构，所述金属结构的表面形成有金属氧化物层；所述工艺腔室内部与离子管道相连通；向所述离子管道内施加电磁场，并向所述离子管道内通入还原性等离子体以及带电荷的载气；其中，至少部分所述载气在所述电磁场的作用下附着于所述离子管道的侧壁；所述还原性等离子体在所述工艺腔室内与所述金属氧化物层反应。2.根据权利要求1所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述还原性等离子体与所述金属氧化物层的反应温度为380℃~420℃。3.根据权利要求1所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述还原性等离子体与所述金属氧化物层的反应时间为15s~30s。4.根据权利要求1所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述还原性等离子体与所述金属氧化物层的反应过程中，向所述离子管道内通入的所述还原性等离子体的流量为300sccm~2000sccm。5.根据权利要求1所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述离子管道的长度为3cm~5cm；和/或所述离子管道的直径为3cm~5cm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述还原性等离子体在所述工艺腔室内与当前半导体结构中金属结构表面的所述金属氧化物层反应完毕后，还包括：检测当前半导体结构中金属结构表面的所述金属氧化物层的去除情况；基于检测结果调整所述还原性等离子体于下一半导体结构中金属结构上的作用位置及到达所述作用位置的所述还原性等离子体的剂量。7.根据权利要求6所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述检测当前半导体结构中金属结构表面的所述金属氧化物层的去除情况，包括：向当前半导体结构的表面发射检测光线，并记录所述检测光线于所述半导体结构表面的照射区域的位置坐标；接收所述检测光线经由当前半导体结构表面反射后的反射光线的波长，基于所述反射光线的波长判断当前半导体结构中金属结构表面的所述金属氧化物层的去除情况。8.根据权利要求6所述的金属氧化物层的去除方法，其特征在于，所述基于检测结果调整所述还原性等离子体于下一半导体结构中金属结构上的作用位置及到达所述作用位置的所述还原性等离子体的剂量，包括：于所述工艺腔室外围设置多区域电磁装置；基于所述检测结果和记录的所述检测光线于所述半导体结构表面的照射区域的位置坐标调整所述多区域电磁装置的位置，以调整所述还原性等离子体于下一半导体结构中金属结构上的作用位置及到达所述作用位置的所述还原性等离子体的剂量。9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：采用如权利要求1至8中任一项所述的金属氧化物层的去除方法，去除所述待处理半导体结构中所述金属结构表面的所述金属氧化物层；形成导电结构，所述导电结构与所述金属结构相接触。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王婷，蒋颂玄，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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