对包括氮化硅层的基板进行处理的方法技术

根据本发明专利技术的基板处理方法是在氧化硅层与氮化硅层交替堆叠的基板中对所述氮化硅层选择性地进行刻蚀的基板处理方法，包括将多种气体等离子体化并对氮化硅层进行等离子体刻蚀的步骤，所述多种气体包含含有除三氟化氮以外的氟的第一气体及含有氢的第二气体，且对所述多种气体中所包含的氟与氢的原子比进行调节以对氮化硅层的厚度方向的刻蚀轮廓进行控制。根据本发明专利技术的基板处理方法，可对氮化硅层的刻蚀轮廓进行调节，增大刻蚀气体的等离子体化效率，且自由基可充分到达最下部的氮化物层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
对包括氮化硅层的基板进行处理的方法


[0001]本专利技术涉及一种基板处理方法。更详细来说，涉及一种可对形成在基板上的氮化硅层的刻蚀轮廓进行调节的基板处理方法。

技术介绍

[0002]近来随着半导体元件的微细化，半导体元件渐渐高集成化。由于氮化硅膜用作在化学上具有稳定的特性的介电膜或绝缘膜，因此不仅在存储器元件的基本的元件分离工艺中而且在接触件(Contact)工艺或封盖(Capping)工艺中广泛用于用作侧壁(Sidewall)原材料等的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及快闪存储器(FLASH Memory)制造工艺。
[0003]另一方面，在制造半导体元件时，存在在基板上形成多层氧化硅膜及氮化硅膜的情况。在这种情况下，为了对氮化硅膜选择性地进行刻蚀，应应用与氧化硅膜相比具有高刻蚀选择比的刻蚀剂。
[0004]以往，已知磷酸系刻蚀剂作为与氧化硅膜相比具有高刻蚀选择比的刻蚀剂。使用磷酸系刻蚀剂的氮化硅膜的刻蚀属于湿式刻蚀。然而，湿式刻蚀存在由于表面张力而刻蚀剂渗透到元件图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，是在氧化硅层与氮化硅层交替堆叠的基板中对所述氮化硅层选择性地进行刻蚀的基板处理方法，其特征在于，包括将多种气体等离子体化并对氮化硅层进行等离子体刻蚀的步骤，所述多种气体包含含有除三氟化氮以外的氟的第一气体及含有氢的第二气体，且对所述多种气体中所包含的氟与氢的原子比进行调节，以对氮化硅层的厚度方向的刻蚀轮廓进行控制。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述氟与所述氢的原子比为15:1～35:1。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一气体为四氟化碳，所述第二气体为选自二氟甲烷、单氟甲烷、甲烷、氢、氨及三氟甲烷中的一种以上。4.根据权利要求1或3所述的基板处理方法，其特征在于，所述多种气体额外包含氮及氧。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀在15MHz以上且小于60MHz的射频频率条件下执行。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀在电容性耦合等离子体模式下执行。7.一种基板处理方法，是在氧化硅层与氮化硅层交替堆叠的基板中对所述氮化硅层选择性地进行刻蚀的基板处理方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：权捧秀，裵世雄，宋银眞，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：