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根据本发明的基板处理方法是在氧化硅层与氮化硅层交替堆叠的基板中对所述氮化硅层选择性地进行刻蚀的基板处理方法，包括将多种气体等离子体化并对氮化硅层进行等离子体刻蚀的步骤，所述多种气体包含含有除三氟化氮以外的氟的第一气体及含有氢的第二气体，且对...
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