半导体的制程方法技术

本发明专利技术公开一种半导体的制程方法，包含提供一基底，对基底上进行一加热步骤，以在基底上形成一氧化层，以及进行一原子层蚀刻(ALE)，以移除部分的氧化层，并降低氧化层的一厚度。并降低氧化层的一厚度。并降低氧化层的一厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体的制程方法


[0001]本专利技术涉及半导体制程领域，尤其是涉及一种利用原子层蚀刻(ALE)方法调控快速形成的氧化层的厚度的方法。

技术介绍

[0002]半导体制程(制作工艺)中，经常在硅基底的表面形成氧化层。其中一种形成氧化层的方法，是以加热的方式让表面的硅与空气产生反应，进而在硅的表面形成氧化硅。
[0003]上述以加热的方法所形成的氧化硅，氧化硅的生长品质较好，通常会用在对品质要求较高的元件，例如栅极结构的栅极介电层。氧化硅生成的品质好坏以及生成的厚度，对于栅极结构的表现都会有影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种半导体的制程方法，包含提供一基底，对基底上进行一加热步骤，以在基底上形成一氧化层，以及进行一原子层蚀刻(ALE)，以移除部分的氧化层，并降低氧化层的一厚度。
[0005]本专利技术的优点在于，由于有些元件对于氧化层的厚度要求相当精确，而这些元件用传统沉积的方法所形成的氧化层的品质也有待改进，同时以加热的方法形成的氧化层厚度又过大。因此本专利技术先以高温加热的方法形成较厚的氧化层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的制程方法，包含:提供基底；对该基底上进行高温加热步骤，以在该基底上形成氧化层；以及进行原子层蚀刻(ALE)，以移除部分的该氧化层，并降低该氧化层的厚度。2.如权利要求1所述的制程方法，其中该氧化层具有预定生成厚度，且该高温加热步骤后，该氧化层的厚度大于该预定生成厚度。3.如权利要求2所述的制程方法，其中利用该原子层蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：周湘湘，王翔，何荣，顾海龙，黄清俊，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：