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本发明公开一种半导体的制程方法，包含提供一基底，对基底上进行一加热步骤，以在基底上形成一氧化层，以及进行一原子层蚀刻(ALE)，以移除部分的氧化层，并降低氧化层的一厚度。并降低氧化层的一厚度。并降低氧化层的一厚度。
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该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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