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本申请涉及一种金属氧化物层的去除方法及半导体结构的制备方法。金属氧化物层的去除方法包括：将待处理半导体结构置于工艺腔室内；待处理半导体结构具有金属结构，金属结构的表面形成有金属氧化物层；工艺腔室内部与离子管道相连通；向离子管道内施加电磁场，...
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