半导体结构的制造与测量方法技术

本公开提供一种多个半导体结构的制造与测量方法。该方法包括下列步骤：接收一晶圆，该晶圆具有多个晶粒；分别形成该多个半导体结构在每一个晶粒的多个区块中，其中每一个半导体结构具有一第一鳍片阵列以及一第二鳍片阵列，该第二鳍片阵列位在该第一鳍片阵列上方；在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移；以及依据该位移而确定该晶圆的一状态。定该晶圆的一状态。定该晶圆的一状态。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造与测量方法


[0001]本申请案主张美国第17/508,961号及第17/510,786号专利申请案的优先权(即优先权日为“2021年10月22日”及“2021年10月26日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种多个半导体结构的制造及测量方法。特别是有关于一种在一晶圆上的制造与测量多个半导体结构的方法。

技术介绍

[0003]根据摩尔定律(Moore's law)，在半导体结构中的多个元素的密度急剧增加，且所述元素的尺寸迅速缩小。因此，由所述缩小的元素所引起的对准问题变得越来越重要。在一些传统方法中，对准是离线进行检查的。再者，传统测量的精确度不能适应所述缩小元件的尺寸。因此，当所述元件在预定位置处的位置进行制造时，该晶圆可能无法正常工作，而上述情况可能在制造完成之后才知道。因此，当该晶圆具有造成该晶圆不能作为产品制造的未对准的多个元件时，浪费所述晶圆的制造资源以及时间成本。再者，降低所述晶圆的生产量。
[0004]上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造及测量多个半导体结构的方法，包括：接收一晶圆，该晶圆具有多个晶粒；分别形成该多个半导体结构在每一个晶粒的多个区块中，其中每一个半导体结构具有一第一鳍片阵列以及一第二鳍片阵列，该第二鳍片阵列位在该第一鳍片阵列上方；在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移；以及依据该位移而确定该晶圆的一状态。2.如权利要求1所述的制造及测量多个半导体结构的方法，其中分别形成该多个半导体结构在每一个晶粒的多个区块中包括：形成该第一鳍片阵列在每一个区块中；以及形成该第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上。3.如权利要求2所述的制造及测量多个半导体结构的方法，其中该第一鳍片阵列与该第二鳍片阵列两者均具有N个鳍片，其中N为一正整数，其中该第一鳍片阵列的该第一鳍片对应该第二鳍片阵列的该第一鳍片，其中在该第一鳍片阵列的该第一鳍片与该第二鳍片阵列的该第一鳍片之间的该位移从该半导体结构的一顶视图所界定。4.如权利要求3所述的制造及测量多个半导体结构的方法，其中形成该第一鳍片阵列在每一个区块中包括：形成一第一层；蚀刻该第一层以形成该第一鳍片阵列；以及平坦化该第一层以暴露该第一鳍片阵列的一上表面。5.如权利要求4所述的制造及测量多个半导体结构的方法，其中形成该第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上包括：形成一第二层在该第一鳍片阵列上；蚀刻该第二层以形成该第二鳍片阵列；以及平坦化该第二层以暴露该第二鳍片阵列的一上表面。6.如权利要求5所述的制造及测量多个半导体结构的方法，其中在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得在该第一鳍片阵列的一第一鳍片与该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的该位移包括：获得该第一鳍片阵列的该第一鳍片...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑正达，黄祖文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：