一种硼扩散炉管维护效果检测方法技术

本发明专利技术提供了一种硼扩散炉管维护效果检测方法，属于光伏电池技术领域，包括选择原硅片，对原硅片进行双面抛光；对原硅片进行双面硼扩散，并测试扩后硅片的方阻；筛选出符合生产要求的合格扩后硅片，并去除合格的扩后硅片表面的硼硅玻璃；在扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜，用于钝化和保护硅片表面；烧结处理扩后硅片；对处理后的硅片进行Sinton测试，并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。本发明专利技术提供的硼扩散炉管维护效果检测方法，通过测试方阻筛除不合格的扩后硅片以减少测试结果异常，通过Sinton测试得到少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压数据，并准确地检查出硼扩散炉管的维护效果，避免出现影响电池成品质量和合格率的情况发生。量和合格率的情况发生。量和合格率的情况发生。

【技术实现步骤摘要】
一种硼扩散炉管维护效果检测方法


[0001]本专利技术属于光伏电池
，更具体地说，是涉及一种硼扩散炉管维护效果检测方法。

技术介绍

[0002]N型太阳能电池的主流技术就是TOPCon技术，即Tunnel Oxide Passivated Contact技术，该技术是一种新型钝化接触技术，关键技术为在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层，并在氧化层表面沉积一层磷掺杂的多晶硅薄膜层，隧穿氧化层和多晶硅掺杂层二者共同形成了钝化接触结构。
[0003]在N型TOPCon电池技术中，工艺流程较长，导致工艺时间也会相应变长，而作为第二个工艺环节的硼扩散不仅是电池生产中最为重要的环节，且由于硼扩的特点工艺时间较长，硼扩散炉管内洁净度要求高，需要较频繁且较高的维护质量来达到要求，但是硼扩散炉管的维护质量无法直观、准确地获得。目前的工艺基本都是跟踪一管扩散片电池成品效率正常才能投入使用，这样不仅耽误炉管的投入使用时间造成产量降低，且如果维护不合格会导致不合格电池产生，这样会造成成品合格率降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种硼扩散炉管维护效果检测方法，以解决现有技术中存在的硼扩散炉管的维护质量较差时影响电池成品的质量和合格率，且无法准确地获得硼扩散炉管的维护质量的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种硼扩散炉管维护效果检测方法，包括：
[0006]S1：选择原硅片，对所述原硅片进行双面抛光；
[0007]S2：对所述原硅片进行双面硼扩散，并测试扩后硅片的方阻；
[0008]S3：筛选出符合生产要求的合格扩后硅片，并去除合格的所述扩后硅片表面的硼硅玻璃；
[0009]S4：在所述扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜，钝化和保护硅片表面；
[0010]S5：烧结处理所述扩后硅片；
[0011]S6：对处理后的硅片进行Sinton测试，并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。
[0012]在一种可能的实现方式中，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光之前，先使用碱液所述原硅片进行清洗，再对所述原硅片进行清水喷淋；所述碱液为氢氧化钾和过氧化氢的混合液，氢氧化钾的浓度为1
‑
2％(w％)，过氧化氢的浓度为5.5
‑
6.5％(w％)，反应温度为55
‑
65℃，清洗时间为1.5
‑
2.5分钟。
[0013]在一种可能的实现方式中，在S1中，将所述原硅片置于碱性液体中进行双面抛光。
[0014]在一种可能的实现方式中，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光之后，先对双面抛
光后的原硅片进行清水喷淋，再使用酸液进行酸洗，然后采用慢提拉清洗，最后进行烘干；所述酸液为盐酸和氢氟酸的混合液，盐酸的浓度为3
‑
5％(w％)，氢氟酸的浓度为3
‑
5％(w％)；所述慢提拉清洗在冷水中进行。
[0015]在一种可能的实现方式中，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光后，将所述原硅片放置于氮气环境下。
[0016]在一种可能的实现方式中，在S2中，使用硼扩散炉对所述原硅片进行双面硼扩散，且分别在所述硼扩散炉的炉口、炉中及炉尾进行所述原硅片的双面硼扩散；在S6中，对处理后的硅片进行Sinton测试后，所记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压的数据为在所述硼扩散炉的炉口、炉中及炉尾测试数据的平均值。
[0017]在一种可能的实现方式中，在S3中，使用氢氟酸去除所述扩后硅片上的硼硅玻璃；氢氟酸的浓度为3
‑
5％(w％)，反应时间为6
‑
10分钟。
[0018]在一种可能的实现方式中，在S4中，所述氮化硅膜的膜厚为60
‑
70nm，折射率2.05
‑
2.2。
[0019]在一种可能的实现方式中，在S5中，烧结处理所述扩后硅片后，收集硅片并使用隔纸隔开放置。
[0020]在一种可能的实现方式中，在S6中，对硅片进行PL测试，并记录硅片的光致发光光谱数据。
[0021]本专利技术提供的硼扩散炉管维护效果检测方法的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术硼扩散炉管维护效果检测方法，通过先后对原硅片进行双面抛光、双面硼扩散、测试方阻、去除硼硅玻璃、制作氮化硅膜、烧结及进行Sinton测试，其中，通过对原硅片的双面抛光，选用双面抛光片作为测试片，减少了因绒面不均匀导致的测试结果异常，通过测试方阻筛除不合格的扩后硅片以减少测试结果异常，并且通过Sinton测试得到少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压数据，借助少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压的数据，准确地检查出硼扩散炉管的维护效果，避免出现影响电池成品质量和合格率的情况发生。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术实施例提供的硼扩散炉管维护效果检测方法的流程示意图。
具体实施方式
[0024]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0025]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0026]需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0028]请参阅图1，现对本专利技术提供的硼扩散炉管维护效果检测方法进行说明。一种硼扩散炉管维护效果检测方法，包括S1：选择原硅片，对原硅片进行双面抛光；S2：对原硅片进行双面硼扩散，并测试扩后硅片的方阻；S3：筛选出符合生产要求的合格扩后硅片，并去除合格的扩后硅片表面的硼硅玻璃；S4：在扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜，用于钝化和保护硅片表面；S5：烧结处理扩后硅片；S6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，包括：S1：选择原硅片，对所述原硅片进行双面抛光；S2：对所述原硅片进行双面硼扩散，并测试扩后硅片的方阻；S3：筛选出符合生产要求的合格扩后硅片，并去除合格的所述扩后硅片表面的硼硅玻璃；S4：在所述扩后硅片的双面加工形成氮化硅膜，用于钝化和保护硅片表面；S5：烧结处理所述扩后硅片；S6：对处理后的硅片进行Sinton测试，并记录少子寿命、反向饱和电流密度和开路电压。2.如权利要求1所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光之前，先使用碱液所述原硅片进行清洗，再对所述原硅片进行清水喷淋；所述碱液为氢氧化钾和过氧化氢的混合液，氢氧化钾的浓度为1
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2％(w％)，过氧化氢的浓度为5.5
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6.5％(w％)，反应温度为55
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65℃，清洗时间为1.5
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2.5分钟。3.如权利要求2所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，将所述原硅片置于碱性液体中进行双面抛光。4.如权利要求3所述的硼扩散炉管维护效果检测方法，其特征在于，在S1中，对所述原硅片进行双面抛光之后，先对双面抛光后的原硅片进行清水喷淋，再使用酸液进行酸洗，然后采用慢提拉清洗，最后进行烘干；所述酸液为盐酸和氢氟酸的混合液，盐酸的浓度为3
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【专利技术属性】
技术研发人员：王通，张红妹，魏双双，李青娟，李倩，尚琪，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：