一种双面镂空板制造技术

本实用新型专利技术属于ＦＰＣ制造技术领域，尤其涉及一种双面镂空板。它包括粘接层、上、下铜箔层、上、中及下覆盖膜层，其中，上覆盖膜层设置在上铜箔层的上方，下覆盖膜层设置在下铜箔层的下方，中覆盖膜层设置在下铜箔层的上方，上铜箔层通过粘接层设置在中覆盖膜层的上方，在中、下覆盖膜层上分别开有与下铜箔层相通的上、下镂空窗口，上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层均设置在中覆盖膜层上镂空窗口以外的位置上，所述的上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层靠近上镂空窗口一端的端面均与所述上镂空窗口相对应的端面相互错开。这种结构，能够显著的减缓镂空手指区出现和凹蚀问题，从而有效地提高产品的成品率。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于FPC (柔性线路板)制造
，尤其涉及一种双面镂空板。
技术介绍
随着技术的不断发展，柔性线路板，尤其是双面镂空板在LCD领域得到广 泛的应用。 一般而言，双面镂空板为双面线路，包括异向导电膜(ACF)端子 及镂空手指，用在LCD中时，异向导电膜端子用于LCD压玻璃，镂空手指则 用来与一些部件压焊。现有技术提供了一种双面镂空板，如图1所示，它包括 粘接层1，、上、下铜箔层21，、 22，、上、中及下覆盖膜层31'、 32，、 33，。上覆 盖膜层31，设置在上铜箔层21，的上方，下覆盖膜层33，设置在下铜箔层22，的下 方，中覆盖膜层32，是通过全压的方式设置在下铜箔层22，的上方，中覆盖膜层 32，的作用主要A^到机械支撑作用，而为防止出现褶皱及断裂，中覆盖膜层32' 需达到一定的厚度，现有技术均倾向于选择较厚的尺寸。上铜箔层21，通过粘接 层l'设置在中覆盖膜层32，的上方，在中、下覆盖膜层32'、 33，上分别开有与下 铜箔层22，相通的上、下镂空窗口321'、 331，，该上、下镂空窗口321'、 331，位 置相互对应，且均是沿着上覆盖膜层31，、上铜箔层21，及粘结层的右端面开设 的，上、下镂空窗口 321，、 331，形成的区域即为镂空手指区，在该镂空手指区铜 箔的表面处理为硬金(含有钴)。这种产品的缺陷主要存在于以下几个方面首先，上镂空窗口 321，是沿着 上覆盖膜层31'、上铜箔层21，及粘结层l，的右端面开设的，这就意味着，镂空 手指的阶差是从最上层的上覆盖膜31，的上端面算起，即图中的H，，无疑阶差值 被不必要的增大了，这样一来，会使得对铜箔表面压制电路时的干膜层压工序 中，非常容易产生气泡，从而导致镂空手指区出现凹蚀，即会对镂空手指区的 非金属材料造成侵蚀。这种凹蚀会直接导致产品的成品率的下降；其次，该产 品的组成结构不合理，上、下纯铜箔层间倾向于选用较厚的中覆盖膜，这就会 造成上覆盖膜的上端面至镂空手指(下铜箔的上表面)的距离变大，也即镂空 手指与该中覆盖膜层32，交接处存在较大的阶差H，，进一步的加大凹蚀的可能 性；再次，中覆盖膜层32，是采用全压的方式设置在下铜箔层22，的上方，压合 后产生的转印问题将更严重，同样也会导致阶差的扩大；最后，镂空手指区铜 箔表面处理主要是硬金(含有钴)，在后续制作过程中就容易出现镂空手指断裂 的现象，进一步导致成品率的下降。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种双面镂空板，能够显著的减少 蚀问题的出现。 '为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是 提供一种双面镂空板，它包括粘接层、上、下铜箔层、上、中及下覆盖膜 层，其中，上覆盖膜层设置在上铜箔层的上方，下覆盖膜层设置在下铜箔层的 下方，中覆盖膜层设置在下铜箔层的上方，上铜箔层通过粘接层设置在中覆盖 膜层的上方，在中、下覆盖膜层上分别开有与下铜箔层相通的上、下镂空窗口，上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层均设置在中覆盖膜层上镂空窗口以外的位置上， 所述的上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层靠近上镂空窗口 一端的端面均与所述上 镂空窗口相对应的端面相互错开。采用这样的结构以后，上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层靠近上镂空窗口一 端的端面均与所述镂空窗口相对应的端面相互错开，那么镂空手指区的下铜箔 的阶差就只是中覆盖膜上端面至下铜箔表面的距离，显然，这大大小于现有产 品中的阶差值，能够显著的减緩镂空手指区出现和凹蚀问题，从而有效地提高 产品的成品率。附图说明图l是现有技术提供双面镂空板的截面示意图2是本技术提供的一较佳实施例的截面示意图3是本技术提供的一较佳实施例的俯视示意图。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及优点更加清楚明白， 以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处 所描述的具体实施例^U叉用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图2和图3所示的双面镂空板的一较佳实施例，它包括粘接层1，上、 下铜箔层21、 22,还有上、中、下覆盖膜层31、 32、 33。上覆盖膜层31设置在上铜箔层21的上方，下覆盖膜层33设置在下铜箔层 22的下方，中覆盖膜层32则设置在下铜箔层22的上方，上铜箔层21通过粘接层1设置在中覆盖膜层32的上方，上、下铜箔层21、 22使用的材质优选为纯 铜。在中、下覆盖膜层32、 33上分别开有与下铜箔层22相通的上、下镂空窗 口 321、 331,上覆盖膜层31、上铜箔层21及粘接层1均设置在中覆盖膜层32 上镂空窗口 321以外的位置上，上覆盖膜层31、上铜箔层21及粘接层1靠近上 镂空窗口 321 —端的端面均与上镂空窗口 321相对应的端面相互错开。由于上 覆盖膜层31、上铜箔层21及粘接层1靠近上镂空窗口 321 —端的端面与上镂空 窗口 321相对应的端面相互错开，那么镂空手指区的下铜箔的阶差就只是中覆 盖膜上端面至下铜箔表面的距离，即图2中H与图1中的H，相比，显然，阶差 值大大的减小了，能够显著的减緩镂空手指区4出现的凹蚀问题，从而有效地 提高产品的成品率。在具体实施时，中覆盖膜层32应根据情况尽可能的选择较薄的材料，比如 常用的覆盖膜材料主要有27.5um、 37.5um、 50um等几种规格的，在本实施例中 选择了最薄的材料，即27.5um规格的，这样可以有效的减小阶差，减轻凹蚀。 由于覆盖膜只有一面具有粘性，另一面要与其它材料相组合的话，就必须采用 一个粘接层1来实现，本镂空板中的上铜箔层21就是通过粘接层1压合在中覆 盖膜上的。具体的，粘接层1所采用的材质可以为纯胶。另外，为了减轻现有 技术中采用的全压方式压合在镂空手指处所产生的严重转印问题，本实施例中， 中覆盖膜层32是采用快速压合的方式设置在下铜箔层22的上方的，改变压合 方式后， 一方面可以控制镂空手指处的转印问题，另一方面还可以缩短工艺周 期，提高生产效率。本双面镂空板各层之间的冲切及压合工艺可以采用现有技术提供的各种方法，在本实施例中，主要包括以下工艺步骤1) 制作好在中间起机械支撑作用的覆盖膜层后，对该中覆盖膜层32进行钻孔并冲切窗口，作为上镂空窗口321;2) 制作好下铜箔层22,并在该下铜箔层22中钻设复合定位孔，然后将其 与中覆盖膜层32组合快压；3) 制作好上铜箔层21,并将上、下铜箔层21、 22与粘接层1组合加压， 然后，再钻冲切定位孔及组合对位孔；4) 在已组合好粘接层1的上铜箔层21上冲切窗口，该窗口长宽尺寸必须 要比中覆盖膜层32上开设的上镂空窗口 321略大，参见图2所示，体现在该截 面视图中，就是要让上铜箔层21、粘接层1的右端面与上镂空窗口 321的左端 面相互错开，实现减小阶差的目的。如图2所示，在中覆盖膜层32上，除开有上镂空窗口 321外还开设有异向 导电膜端子窗口 322，这样，参见图3，与该异向导电膜端子窗口 322相对应的 位置处的铜箔即可作为异向导电膜(ACF)端子5使用。在本实施例中，上镂 空窗口 321和异向导电膜端子窗口 322分别设置在中覆盖膜层32的两端，上覆 盖膜层31、上铜荡层21及粘接层1则压合在中覆盖膜层32异向导电膜端子窗 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面镂空板，它包括粘接层、上、下铜箔层、上、中及下覆盖膜层，其中，上覆盖膜层设置在上铜箔层的上方，下覆盖膜层设置在下铜箔层的下方，中覆盖膜层设置在下铜箔层的上方，上铜箔层通过粘接层设置在中覆盖膜层的上方，在中、下覆盖膜层上分别开有与下铜箔层相通的上、下镂空窗口，上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层均设置在中覆盖膜层上镂空窗口以外的位置上，其特征在于：所述的上覆盖膜层、上铜箔层及粘接层靠近上镂空窗口一端的端面均与所述上镂空窗口相对应的端面相互错开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张沈宁，刘运杰，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]