LED芯片的分选方法、系统及计算机设备技术方案

本发明专利技术提供了一种LED芯片的分选方法、系统及计算机设备，所述LED芯片的分选方法包括：获取晶圆的测试数据，基于所述测试数据的原始坐标进行外观检测以获得相应的AOI数据；将所述测试数据和所述AOI数据进行合档得到合成档案；根据所述合成档案确定中心晶粒的坐标位置，在所述晶圆的坐标系中基于所述中心晶粒的坐标位置将所述晶圆划分为至少四个独立区域；计算各个所述独立区域内的晶粒良率，并将各所述独立区域的晶粒良率分别与预设良率阈值进行比较，以根据比较结果选择相应分选模式进行分选。通过本申请，不仅降低分选难度，有利于提升分选效率，缩短分选时长，以便提升产出能力，同时还减少分选设备的投入，有利于减少生产成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片的分选方法、系统及计算机设备


[0001]本专利技术涉体分选
，特别涉及一种LED芯片的分选方法、系统及计算机设备。

技术介绍

[0002]随着人们对显示屏高清的要求越来越高，显示屏小间距产品发展迅猛。mini LED(发光二极管)直接显示以其色彩丰富、节能、寿命长、轻巧等优点拿下了极大的市场份额，且每张Mini
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LED的线路板上通常会有数千颗芯片。
[0003]为了能够保证产品的显示色差，通常需要从LED芯片投料上进行严格卡控，筛选出光电特性非常集中的晶片进行归档、投料。现有的LED芯片的分选过程中，通常是将LED芯片一颗一颗进行逐一点亮进行测试，采集LED芯片的光性和电性，挑掉不良品，然后根据要求进行归档分类，所耗工时长，且需要大量的分选设备来进行，同时分选难度也很大，导致产出速度大幅度下降，影响实际产出能力。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种LED芯片的分选方法、系统及计算机设备，以解决现有技术中的不足。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种LED芯片的分选方法，包括：
[0006]获取晶圆的测试数据，基于所述测试数据的原始坐标进行外观检测以获得相应的AOI数据；
[0007]将所述测试数据和所述AOI数据进行合档得到合成档案；
[0008]根据所述合成档案确定中心晶粒的坐标位置，在所述晶圆的坐标系中基于所述中心晶粒的坐标位置将所述晶圆划分为至少四个独立区域；
[0009]计算各个所述独立区域内的晶粒良率，并将各所述独立区域的晶粒良率分别与预设良率阈值进行比较，以根据比较结果选择相应分选模式进行分选。
[0010]优选的，根据所述合成档案确定中心晶粒的坐标位置的步骤包括：
[0011]获取所述晶圆中相垂直的第一最长径线和第二最长径线，并以所述第一最长径线和所述第二最长径线相交点上的晶粒作为中心晶粒；
[0012]从所述合成档案中获取所述晶圆的定点坐标；
[0013]根据所述定点坐标与所述第一最长径线之间的第一晶粒数量，以及与所述第二最长径线之间的第二晶粒数量确定所述中心晶粒的坐标位置。
[0014]优选的，在所述晶圆的坐标系中基于所述中心晶粒的坐标位置坐标系将所述晶圆划分为至少四个独立区域的步骤包括：
[0015]以所述中心晶粒的坐标位置为原点坐标、所述第一最长径线和所述第二最长径线分别为Y轴和X轴构建坐标系；
[0016]根据所述坐标系的四个象限区域和所述晶圆的尺寸将所述晶圆划分为四个独立
区域。
[0017]优选的，根据比较结果选择相应分选模式进行分选的步骤包括：
[0018]当任一所述独立区域的晶粒良率小于等于所述预设良率阈值时，对该独立区域内的晶粒以正分选模式进行分选；
[0019]当任一所述独立区域的晶粒良率大于所述预设良率阈值时，对该独立区域内的晶粒以反分选模式进行分选。
[0020]优选的，在所述正分选模式中，所述独立区域内晶粒的BIN值不变。
[0021]优选的，在所述反分选模式中，所述独立区域内附有合格标签的晶粒的BIN值转换为不可挑拣BIN值，所述独立区域内附有不合格标签的晶粒的BIN值转换为可挑拣BIN值。
[0022]为实现上述目的，本专利技术还提供了一种LED芯片的分选系统，所述系统包括：
[0023]获取模块，用于获取晶圆的测试数据，基于所述测试数据的原始坐标进行外观检测以获得相应的AOI数据；
[0024]合档模块，用于将所述测试数据和所述AOI数据进行合档得到合成档案；
[0025]划分模块，用于根据所述合成档案确定中心晶粒的坐标位置，在所述晶圆的坐标系中基于所述中心晶粒的坐标位置将所述晶圆划分为至少四个独立区域；
[0026]分选模块，用于计算各个所述独立区域内的晶粒良率，并将各所述独立区域的晶粒良率分别与预设良率阈值进行比较，以根据比较结果选择相应分选模式进行分选。
[0027]优选的，所述划分模块包括：
[0028]第一获取单元，用于获取所述晶圆中相垂直的第一最长径线和第二最长径线，并以所述第一最长径线和所述第二最长径线相交点上的晶粒作为中心晶粒；
[0029]第二获取单元，用于从所述合成档案中获取所述晶圆的定点坐标；
[0030]确定单元，用于根据所述定点坐标与所述第一最长径线之间的第一晶粒数量，以及与所述第二最长径线之间的第二晶粒数量确定所述中心晶粒的坐标位置。
[0031]优选的，所述划分模块包括：
[0032]构建单元，用于以所述中心晶粒的坐标位置为原点坐标、所述第一最长径线和所述第二最长径线分别为Y轴和X轴构建坐标系；
[0033]划分单元，用于根据所述坐标系的四个象限区域和所述晶圆的尺寸将所述晶圆划分为四个独立区域。
[0034]为实现上述目的，本专利技术还提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述中所述的LED芯片的分选方法。
[0035]相比于相关技术，本申请提供了一种LED芯片的分选方法、系统及计算机设备，通过预先进行点测获取晶圆的测试数据，然后基于测试数据进行外观检测，以输出相应的AOI数据，将测试数据和AOI数据进行合档得到合成档案，再根据合成档案确定中心晶粒的坐标位置，基于中心晶粒的坐标位置并利用坐标系将晶圆划分为至少四个独立区域，根据各个区域中晶粒的良率来选择相应分选模式进行分选，以降低分选难度，不仅有利于提升分选效率，缩短分选时长，以便提升产出能力，同时还减少分选设备的投入，有利于减少生产成本。
[0036]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变
得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0037]图1为本专利技术第一实施例提供的LED芯片的分选方法的流程图；
[0038]图2为本专利技术第二实施例提供的LED芯片的分选系统的结构框图；
[0039]图3为本专利技术第三实施例提供的计算机设备的硬件结构示意图。
[0040]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
[0041]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的若干实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。
[0042]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0043]除非另作定义，本申请所涉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的分选方法，其特征在于，包括：获取晶圆的测试数据，基于所述测试数据的原始坐标进行外观检测以获得相应的AOI数据；将所述测试数据和所述AOI数据进行合档得到合成档案；根据所述合成档案确定中心晶粒的坐标位置，在所述晶圆的坐标系中基于所述中心晶粒的坐标位置将所述晶圆划分为至少四个独立区域；计算各个所述独立区域内的晶粒良率，并将各所述独立区域的晶粒良率分别与预设良率阈值进行比较，以根据比较结果选择相应分选模式进行分选。2.根据权利要求1所述的LED芯片的分选方法，其特征在于，根据所述合成档案确定中心晶粒的坐标位置的步骤包括：获取所述晶圆中相垂直的第一最长径线和第二最长径线，并以所述第一最长径线和所述第二最长径线相交点上的晶粒作为中心晶粒；从所述合成档案中获取所述晶圆的定点坐标；根据所述定点坐标与所述第一最长径线之间的第一晶粒数量，以及与所述第二最长径线之间的第二晶粒数量确定所述中心晶粒的坐标位置。3.根据权利要求2所述的LED芯片的分选方法，其特征在于，在所述晶圆的坐标系中基于所述中心晶粒的坐标位置坐标系将所述晶圆划分为至少四个独立区域的步骤包括：以所述中心晶粒的坐标位置为原点坐标、所述第一最长径线和所述第二最长径线分别为Y轴和X轴构建坐标系；根据所述坐标系的四个象限区域和所述晶圆的尺寸将所述晶圆划分为四个独立区域。4.根据权利要求1所述的LED芯片的分选方法，其特征在于，根据比较结果选择相应分选模式进行分选的步骤包括：当任一所述独立区域的晶粒良率小于等于所述预设良率阈值时，对该独立区域内的晶粒以正分选模式进行分选；当任一所述独立区域的晶粒良率大于所述预设良率阈值时，对该独立区域内的晶粒以反分选模式进行分选。5.根据权利要求4所述的LED芯片的分选方法，其特征在于，在所述正分选模式中，所述独立区域内晶粒的BIN值不变。6.根据权利要求4所述的LE...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗魁，赵晓明，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：