【技术实现步骤摘要】
清洗装置及其清洗方法
[0001]本公开涉及半导体
,尤其涉及一种清洗装置及其清洗方法。
技术介绍
[0002]在整个半导体结构的制造过程中,为了保证半导体结构表面的清洁,经常需要对半导体结构进行清洗处理。而随着半导体技术的高速发展,半导体结构的制造工艺日益复杂,具有高深宽比结构的半导体结构愈发重要。
[0003]相关技术中,在对高深宽比结构的半导体结构在清洗过程中,半导体结构极易产生侧向弯曲或者尺寸变化等问题,降低了半导体结构的性能和良率。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种清洗装置及其清洗方法。
[0006]本公开实施例的第一方面,提供了一种清洗装置,包括:
[0007]清洗腔室,所述清洗腔室内构造成依次间隔设置的冷却区域、清洗区域和加热区域,所述冷却区域位于所述加热区域的上方;
[0008]气体发生器,用于对所述加热区域升温并生成清洗气体;
[0009]固 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清洗装置,其特征在于,包括:清洗腔室,所述清洗腔室内构造成依次间隔设置的冷却区域、清洗区域和加热区域,所述冷却区域位于所述加热区域的上方;气体发生器,用于对所述加热区域升温并生成清洗气体;固定组件,用于将半导体结构固定于所述清洗区域中,所述半导体结构具有相对设置的第一面和第二面,所述第二面上具有预设深宽比的图形区,其中,所述第二面朝向所述加热区域的方向;与所述冷却区域连通的冷却组件,用于对所述第一面执行冷却制程,使进入所述图形区的所述清洗气体冷凝为清洗液体;回收组件,与所述清洗腔室连通,用于回收再次汽化后的所述清洗液体。2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述气体发生器包括具有容纳腔的壳体和加热组件,所述容纳腔用于盛放清洗剂;所述加热组件用于对所述加热区域升温,并对所述清洗剂加热以生成所述清洗气体。3.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,所述壳体包括具有开口的壳本体以及盖设在所述开口上的罩体;所述壳本体上设有分别与所述容纳腔相连通的清洁气体管路和供液管路,所述清洁气体管路和所述供液管路位于所述壳本体的不同侧,其中,所述清洁气体管路用于清洗后对所述清洗腔室进行干燥处理,所述供液管路用于输送所述清洗剂;所述罩体设置有气体出口,所述清洗气体由所述气体出口向外输出。4.根据权利要求3所述的清洗装置,其特征在于,所述罩体在纵截面上的投影形状包括圆锥型、半椭圆形和凹型中的一种。5.根据权利要求3所述的清洗装置,其特征在于,所述气体出口的个数为多个,且布设于所述罩体上。6.根据权利要求2所述的清洗装置,其特征在于,所述加热组件包括第一卡盘和第一加热器,所述第一卡盘设置于所述壳体内;所述第一加热器设置在所述壳体上,并与所述第一卡盘连接,用于对所述第一卡盘进行加热。7.根据权利要求1所述清洗装置,其特征在于,所述清洗腔室上设有第一驱动件,所述第一驱动件的输出轴端与所述气体发生器连接,所述第一驱动件用于调节所述气体发生器与所述固定组件之间的相对间距。8.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述固定组件包括固定架和固定杆;所述固定杆设置在所述固定架朝向所述气体发生器的一侧,所述固定杆的个数为多个,每个所述固定杆的底端均设有用于承载所述半导体结构的固定部,多个所述固定部与所述固定架之间围合...
【专利技术属性】
技术研发人员:郗宁,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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