【技术实现步骤摘要】
一种硅料处理方法和装置
[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种硅料处理方法和装置。
技术介绍
[0002]多晶硅作为半导体行业单晶硅的基础材料，具有极高的洁净度要求，半导体生产过程中，例如拉晶过程中，可能会出现很多晶棒不合格的情况，在后续辊磨和截断工段偶发性出现机器故障导致单晶硅发生晶裂，这时就需要对其多晶部分和晶裂的硅材料回收利用，降低原材料成本。然而晶棒运输和多次转运之后，会接触到很多污染物，其主要包括多晶硅原料表面的金属颗粒等其他有机或无机污染物，这就需要将其彻底清洗，以便再次重复利用。由于多晶硅原料的形状通常是不规则的，因此，难以有效通过多晶硅表面状态判定清洗回收反应过程的进展，可能影响回收的多晶硅原料的质量。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供一种硅料处理方法和装置，以提高回收的多晶硅原料的质量。
[0004]为解决上述问题，本专利技术是这样实现的：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种硅料处理方法，包括以下步骤：
[0006]提...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅料处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供标准硅片和待处理硅料；将所述标准硅片和所述待处理硅料放入反应槽内进行反应；检测所述标准硅片的状态参数；根据所述标准硅片的反应状态参数调整所述待处理硅料的反应进程。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应状态参数包括所述标准硅片的刻蚀厚度和所述标准硅片的表面光泽度中的至少一项。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应状态参数包括所述标准硅片的表面光泽度；所述根据所述标准硅片的反应状态参数调整所述待处理硅料的反应进程，包括：检测反应时长为第一预设反应时长时，所述标准硅片的表面光泽度和预设光泽度范围的大小关系；在所述标准硅片的表面光泽度小于所述预设光泽度范围的最小值的情况下，增加所述反应槽内反应液的浓度；在所述标准硅片的表面光泽度大于所述预设光泽度范围的最大值的情况下，降低所述反应槽内反应液的浓度；在所述标准硅片的表面光泽度位于所述预设光泽度范围内的情况下，结束当前反应进程。4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述反应状态参数包括所述标准硅片的刻蚀厚度；所述根据所述标准硅片的反应状态参数调整所述待处理硅料的反应进程，包括：检测反应时长为第一预设反应时长时，所述标准硅片的刻蚀厚度和预设厚度范围的大小关系；在所述标准硅片的刻蚀厚度小于所述预设厚度范围的最小值的情况下，增加所述反应槽内反应液的浓度；在所述标准硅片的刻蚀厚度大于所述预设厚度范围的最大值的情况下，降低所述反应槽内反应液的浓度；在所述标准硅片的刻蚀厚度位于所述预设厚度范围内的情况下，结束当前反应进程。5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述标准硅片的反应状态参数调整所述待处理硅料的反应进程，包括：在所述标准硅片的表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘浩，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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