图像传感器及其制造方法技术

本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层包括：遮光图案；提供在遮光图案上的低折射图案；以及保护层，提供在基板上并覆盖遮光图案和低折射图案。低折射图案包括多孔硅化合物。在低折射图案中的每个孔具有约0.2nm至约1nm的直径。约0.2nm至约1nm的直径。约0.2nm至约1nm的直径。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法


[0001]本公开的示例实施方式涉及一种图像传感器及其制造方法。

技术介绍

[0002]图像传感器可以是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可以分类为电荷耦合器件(CCD)型和互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CMOS图像传感器(CIS)是CMOS型图像传感器的简称。CIS可以包括二维排列的多个像素。每个像素包括光电二极管(PD)。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

技术实现思路

[0003]提供了一种能够避免图像缺陷的图像传感器。
[0004]附加方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将从该描述变得明显，或者可以通过实践所呈现的实施方式而获知。
[0005]根据一示例实施方式的一方面，一种图像传感器可以包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层可以包括：遮光图案；低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：基板；多个单位像素，提供在所述基板的像素区上；多个器件隔离图案，在所述像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在所述基板的顶表面上，所述遮光层包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在所述遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上，其中所述遮光层包括：遮光图案；低折射图案，提供在所述遮光图案上；以及保护层，提供在所述基板上并覆盖所述遮光图案和所述低折射图案，其中所述低折射图案包括多孔硅化合物，以及其中在所述低折射图案中的每个孔具有0.2nm至1nm的直径。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个所述孔的尺寸小于包括在所述保护层中的第一元素的分子的尺寸和包括在所述遮光图案中的第二元素的分子的尺寸。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述低折射图案具有1至1.46的折射率。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述低折射图案具有0至0.1的光吸收率。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述低折射图案包括硅、氧、碳和氢的化合物，以及其中，在所述化合物中，碳浓度和氢浓度小于氧浓度。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述保护层包括第一金属的氧化物，以及其中所述低折射图案不包含所述第一金属。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述遮光图案包括第二金属或所述第二金属的氮化物，以及其中所述低折射图案不包含所述第二金属。8.一种图像传感器，包括：基板，包括像素区；多个器件隔离图案，在所述像素区上限定多个单位像素；多个光电转换区，提供在所述基板中并对应地在所述多个单位像素上；遮光层，提供在所述基板上并沿着所述多个器件隔离图案，所述遮光层限定多个光透射区；滤色器，提供在所述基板的顶表面上；以及微透镜阵列，提供在所述滤色器上，其中所述遮光层包括：遮光图案；多孔低折射图案，提供在所述遮光图案上；以及保护层，提供在所述基板上并覆盖所述遮光图案和所述多孔低折射图案，其中所述多孔低折射图案中的每个孔的尺寸小于包括在所述保护层中的第一元素的分子的尺寸和包括在所述遮光图案中的第二元素的分子的尺寸，以及
其中所述多孔低折射图案具有1至1.46的折射率。9.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许在成，尹琪重，林夏珍，田钟珉，全宅洙，赵寅成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：