集成电路半导体器件制造技术

本公开涉及一种集成电路半导体器件，包括：下电极，形成在沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向延伸的衬底上；以及支撑结构，支撑下电极。支撑结构包括：支撑图案，围绕下电极，沿第一方向和第二方向延伸，并具有下电极穿过的孔；以及凹凸结构，在支撑图案的表面处具有沿垂直于第一方向和第二方向的第三方向延伸的凸部和布置在凸部之间的多个凹部。延伸的凸部和布置在凸部之间的多个凹部。延伸的凸部和布置在凸部之间的多个凹部。

【技术实现步骤摘要】
集成电路半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年10月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0140490的优先权，该申请的全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及一种集成电路半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括电容器的集成电路半导体器件。

技术介绍

[0004]随着电子技术的发展，集成电路半导体器件的小型化己急剧扩大，并且因此，构成集成电路半导体器件的图案也已被小型化。与这种趋势相伴，需要开发具有小型化电容器的结构，该结构具有改进的电容同时保持期望的电特性。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思提供了一种集成电路半导体器件，即使当构成电容器的下电极的高度增加时，该器件也能够防止下电极倾斜或倒下，从而能够控制相邻下电极之间的桥接缺陷的发生。桥接缺陷是指由于相邻电极之间形成不希望的电流路径(即“桥接”)而产生漏电流的现象。例如，当电极倾斜或倒下以使其接触或变得非常接近相邻电极时，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路半导体器件，包括：下电极，形成在沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸的衬底上；以及支撑结构，支撑所述下电极，其中，所述支撑结构包括：支撑图案，围绕所述下电极，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并具有所述下电极穿过的第一孔；以及凹凸结构，在所述支撑图案的表面处具有沿垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸的多个凸部和布置在所述凸部之间的多个凹部。2.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑结构包括下支撑结构和上支撑结构，所述下支撑结构支撑所述下电极的下部，所述上支撑结构在所述第三方向上与所述下支撑结构间隔开，并支撑所述下电极的上部。3.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑结构还包括穿过所述支撑图案的第二孔，并且在平面图中，所述第二孔具有连接相邻下电极的多边形形状。4.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案和所述凹凸结构包括相同的材料。5.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构是形成在所述支撑图案上的纳米凹凸结构。6.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案和所述凹凸结构包括不同的材料。7.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案和所述凹凸结构包括碳氮化硅膜、包含硼的氮化硅膜或其组合。8.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构包括第一凹凸结构和第二凹凸结构，所述第一凹凸结构形成在所述支撑图案的第一表面处，所述第二凹凸结构形成在与所述支撑图案的第一表面相对的所述支撑图案的第二表面处。9.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述凹凸结构具有波浪形或阶梯形。10.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，构成所述凹凸结构的所述凸部的截面具有三角形、矩形或椭圆形形状。11.根据权利要求1所述的集成电路半导体器件，其中，所述支撑图案包括与所述下电极接触的角部，并且所述支撑图案的角部具有弯曲的表面，所述弯曲的表面具有朝向所述下电极逐渐变小的厚度。12.一种集成电路半导体器件，包括：多个下电极，在沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向延伸的衬底上彼此间隔开；支撑图案，沿所述第一方向和所述第二方向延伸，并且具有所述多个下电极穿过的多个第一孔；以及凹凸结构，在所述支撑图案的表面处具有沿垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向延伸的多个凸部和布置在所述凸部之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：全寅铎，权赫宇，林汉镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：