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本公开涉及一种集成电路半导体器件，包括：下电极，形成在沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向延伸的衬底上；以及支撑结构，支撑下电极。支撑结构包括：支撑图案，围绕下电极，沿第一方向和第二方向延伸，并具有下电极穿过的孔；以及凹凸结构，在支撑图案的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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