半导体结构的制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供依次层叠设置的基底、第一介质层、第二介质层以及掩膜层，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同，且基底内具有多个分立的着落垫，掩膜层内具有多个贯穿掩膜层的开口；以掩膜层为掩膜，沿开口刻蚀第二介质层以及第一介质层，直至露出着落垫，形成贯穿第二介质层以及第一介质层的多个第一通孔，且每一第一通孔露出相应的一着落垫；形成下电极膜，下电极膜至少填充满开口以及第一通孔；去除掩膜层以及高于第二介质层顶面的下电极膜，剩余的下电极膜作为下电极层。至少可以减少半导体结构的刻蚀缺陷。蚀缺陷。蚀缺陷。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)存储单元包括用于存储电荷的电容器和当做开关的晶体管。随着DRAM存储单元的几何尺寸按照摩尔定律不断减小，电容的深宽比逐渐增大。
[0003]现有的刻蚀工艺在对具有高硬度和高膜厚的半导体结构进行垂直刻蚀时，容易形成刻蚀缺陷。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，至少有利于减少半导体结构的刻蚀缺陷。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供依次层叠设置的基底、第一介质层、第二介质层以及掩膜层，所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料不同，且所述基底内具有多个分立的着落垫，所述掩膜层内具有多个贯穿所述掩膜层的开口；以所述掩膜层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述第二介质层以及所述第一介质层，直至露出所述着落垫，形成贯穿所述第二介质层以及所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供依次层叠设置的基底、第一介质层、第二介质层以及掩膜层，所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料不同，且所述基底内具有多个分立的着落垫，所述掩膜层内具有多个贯穿所述掩膜层的开口；以所述掩膜层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述第二介质层以及所述第一介质层，直至露出所述着落垫，形成贯穿所述第二介质层以及所述第一介质层的多个第一通孔，且每一所述第一通孔露出相应的一所述着落垫；形成下电极膜，所述下电极膜至少填充满所述开口以及所述第一通孔；去除所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜，剩余的所述下电极膜作为下电极层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在同一工艺步骤中，去除所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，去除所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜。4.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜包括：采用化学机械研磨工艺，去除所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜，直至露出所述第二介质层的顶面；对所述第二介质层的顶面进行清洗处理。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜包括：对所述掩膜层以及高于所述第二介质层顶面的所述下电极膜进行刻蚀处理，直至露出所述第二介质层的顶面；对所述第二介质层的顶面进行化学机械研磨处理。6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述进行刻蚀处理步骤中通入的气体包括CL2或NF3中的一种或多种。7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，对所述第二介质层的顶面进行化学机械研磨处理之前，还包括：对所述第二介质层的顶面进行清洗处理。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述对所述第二介质层顶面进行清洗处理采用的清洗溶液中包括HF、H2...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖凡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：