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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供依次层叠设置的基底、第一介质层、第二介质层以及掩膜层，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同，且基底内具有多个分立的着落垫，掩膜层内具有多个贯穿掩膜层的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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