一种存储器及其制造方法技术

本公开实施例公开了一种存储器及其制造方法。存储器包括：衬底；多条位线，多条位线位于衬底上，多条位线相互平行且沿第一方向延伸；多个有源柱体，有源柱体位于位线上，且有源柱体的底端部连接至位线；多条字线，多条字线相互平行且沿第二方向延伸，字线环绕有源柱体的外侧壁，且有源柱体的顶端外露于字线，有源柱体与字线共同构成存储器的立式存储晶体管；多个电容以及多个连接垫，电容位于有源柱体上方，连接垫位于有源柱体与电容之间，用于电连接有源柱体与电容；其中，第一方向与第二方向相互垂直，多个有源柱体呈六方阵列排布方式。多个有源柱体呈六方阵列排布方式。多个有源柱体呈六方阵列排布方式。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种存储器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着计算速度、计算容量等需求的持续提高，应用端对存储器的存储密度的要求也越来越高。为满足应用端对存储密度持续增长的需求，寻求一种利于集成化的存储器是本领域技术人员需要解决的课题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种存储器及其制造方法。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种存储器，包括：
[0005]衬底；
[0006]多条位线，所述多条位线位于所述衬底上，所述多条位线相互平行且沿第一方向延伸；
[0007]多个有源柱体，所述有源柱体位于所述位线上，且所述有源柱体的底端部连接至所述位线；
[0008]多条字线，所述多条字线相互平行且沿第二方向延伸，所述字线环绕所述有源柱体的外侧壁，且所述有源柱体的顶端外露于所述字线，所述有源柱体与所述字线共同构成所述存储器的立式存储晶体管；
[0009]多个电容以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；多条位线，所述多条位线位于所述衬底上，所述多条位线相互平行且沿第一方向延伸；多个有源柱体，所述有源柱体位于所述位线上，且所述有源柱体的底端部连接至所述位线；多条字线，所述多条字线相互平行且沿第二方向延伸，所述字线环绕所述有源柱体的外侧壁，且所述有源柱体的顶端外露于所述字线，所述有源柱体与所述字线共同构成所述存储器的立式存储晶体管；多个电容以及多个连接垫，所述电容位于所述有源柱体上方，所述连接垫位于所述有源柱体与所述电容之间，用于电连接所述有源柱体与所述电容；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，所述多个有源柱体呈六方阵列排布方式。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，包括：在沿第三方向的投影中，所述有源柱体的中心与所述位线的中轴线之间存在偏移，且同一条位线上相邻的两个所述有源柱体的中心相对于该条位线的中轴线的偏移方向相反，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，所述位线的中轴线为所述位线的沿所述第一方向延伸的中轴线。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，包括：一个所述立式存储晶体管和位于该立式存储晶体管上的电容构成一个存储单元，一个所述存储单元的单元配置尺寸为4F2。4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，包括：所述多条位线等间隔平行排列，以相邻的所述位线的距离定义为位线距离，以所述有源柱体的中心到其所连接的位线的中轴线之间的距离定义为偏移距离，所述偏移距离为所述位线距离的1/3至2/3。5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，包括：接触层，所述接触层位于所述位线上方且与所述位线电连接。6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，包括：所述连接垫包括垂直于第三方向延伸的第一连接垫和沿第三方向延伸的第二连接垫，所述第一连接垫覆盖所述有源柱体的顶部，所述第二连接垫沿有源柱体的侧壁延伸；和/或，所述接触层包括垂直于第三方向延伸的水平部分和平行于第三方向延伸的竖直部分，所述水平部分覆盖所述位线的顶部，所述竖直部分沿位线的侧壁延伸；其中，第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向。7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，包括：所述第二连接垫沿第三方向的高度与所述有源柱体位于字线上方的部分沿第三方向的高度的比例为0.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：