【技术实现步骤摘要】
包括写入晶体管和读取晶体管的半导体装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月18日在韩国知识产权局提交的韩国申请第10
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2021
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0138870号的优先权，其整体通过引用并入本文。
[0003]本公开总体上涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括写入晶体管和读取晶体管的半导体装置。
技术介绍
[0004]随着半导体存储装置的尺寸不断减小，正在进行各种研究以增加这种装置中存储单元的密度。
[0005]在传统情况下，存储单元采用一个晶体管对一个电容器(1T
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1C)结构，其中一个晶体管和一个电容器彼此电连接。近来，研究已经积极地关注存储单元的结构，通过减小在存储单元中占据较大空间的电容器的尺寸或通过省略电容器来实现更高单元密度。
技术实现思路
[0006]根据本公开的实施例的半导体装置包括：存储单元，其包括彼此电连接的写入晶体管和读取晶体管。所述写入晶体管包括：写入位线，其设置在衬底...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：存储单元，其包括彼此电连接的写入晶体管和读取晶体管，其中，所述写入晶体管包括：写入位线，其设置在衬底之上；写入沟道结构，其设置在所述写入位线上并且在垂直于所述衬底的表面的方向延伸；写入栅介电层，其设置在所述写入沟道结构的侧表面上；以及写入字线，其设置在所述写入栅介电层上，以及其中，所述读取晶体管包括：读取栅电极层，其设置在所述写入沟道结构上；读取栅介电层，其设置在所述读取栅电极层上；读取沟道层，其设置在所述读取栅介电层上；以及读取字线和读取位线，其分别设置在所述读取沟道层的相对端部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括外围电路，所述外围电路设置在所述衬底和所述写入位线之间并且控制所述存储单元。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入位线在平行于所述衬底的表面的第一方向延伸，其中，所述写入字线在平行于所述衬底的表面的第二方向延伸，以及其中，所述读取字线和所述读取位线在平行于所述衬底的表面的第三方向延伸。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述写入字线设置为与所述读取字线和所述读取位线平行，以及其中，所述写入位线不平行于所述写入字线。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入沟道结构包括柱体结构。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入栅介电层设置在所述衬底之上，以接触所述写入沟道结构的相对外表面。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述写入字线设置为接触所述写入栅介电层以及设置为与所述写入沟道结构间隔开。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入栅介电层设置在所述衬底之上，以围绕所述写入沟道结构的外表面。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述写入字线设置在所述写入栅介电层上并且在平行于所述衬底的表面的方向延伸。10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第一接触层，其设置在所述写入位线与所述写入沟道结构之间；第二接触层，其设置在所述写入沟道结构与所述读取栅电极层之间；第三接触层，其设置在所述读取字线与所述读取沟道层之间；以及第四接触层，其设置在所述读取位线与所述读取沟道层之间。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入沟道结构和所述读取沟道层中的每一个包括选自半导体、导电金属氧化物和过渡金属硫属化物中的至少一种。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入沟道结构在平行于所述衬底的表面的平面中的截面面积与所述读取栅电极层在平行于所述衬底的表面的平面中的表面
积实质相同。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入沟道结构电连接至所述读取栅电极层。14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述读取沟道层、所述读取字线和所述读取位线设置在相同的平面上。15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述写入沟道结构、所述读取栅电极层、所述读取栅介电层和所述读取沟道层设置为沿垂直于所述衬底的表面的方向彼此交叠。16.一种半导体装置，包括：第一存储单元，其包括写入晶体管和读取晶体管；以及第二存储单元，其包括写入晶体管和读取晶体管，其中，所述第一存储单元的所述写入晶体管和所述第二存储单元的所述写入晶体管均包括：写入位线，其设置在衬底之上；写入沟道结构，其设置在所述写入位线上并且在垂直于所述衬底的表面的方向延伸；写入栅介电层，其设置在所述写入沟道结构的侧表面上；以及写入字线，其设置在所述写入栅介电层上，其中，所述第一存储单元的所述读取晶体管和所述第二存储单元的所述读取晶体管均包括：读取栅电极层，其设置在所述写入沟道结构上；读取栅介电层，其设置在...
【专利技术属性】
技术研发人员：林米乐，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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