一种用于化学机械抛光的承载组件制造技术

技术编号:37338659 阅读:19 留言:0更新日期:2023-04-22 14:37
本实用新型专利技术提供了一种用于化学机械抛光的承载组件,包括:减振模块、驱动模块和承载头;其中,所述减振模块包括内部具有空腔的主轴以及位于所述空腔内的第一减振单元,所述第一减振单元包括芯体和配置于所述芯体的外壁处的多个阻尼块,所述阻尼块挤压所述空腔的内壁,以吸收所述主轴的横向振动。本实用新型专利技术在主轴内放置芯体,芯体增强了减振和抗振作用,此外,在芯体外壁设置的多个阻尼块可以吸收来自抛光头研磨所产生的横向激振,充分利用阻尼块的抗压能力,将原有受剪切和拉伸的工作状态改为受压缩的工作状态,增加了横向减振能力的同时也发挥了复位和限位作用。同时也发挥了复位和限位作用。同时也发挥了复位和限位作用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械抛光的承载组件


[0001]本技术属于晶圆生产
,具体而言,涉及一种用于化学机械抛光的承载组件。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体,芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中,化学机械抛光属于晶圆制造工序。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面,晶圆具有沉积层的一面抵压于抛光垫上表面,承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷;同时,抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间,使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
[0004]CMP中抛光头研磨时会产生振动,尤其对于一些大压力研磨的制程来说,振动可能加剧,当改变抛光头或抛光盘的转速,或进一步提高研磨压力等变量时,振动变化也可能引起本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的承载组件,其特征在于,包括:减振模块、驱动模块和承载头;其中,所述减振模块包括内部具有空腔的主轴以及位于所述空腔内的第一减振单元,所述第一减振单元包括芯体和配置于所述芯体的外壁处的多个阻尼块,所述阻尼块挤压所述空腔的内壁,以吸收所述主轴的横向振动。2.根据权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述驱动模块包括驱动单元和位于所述驱动单元顶部的支架,所述支架为刚性框架结构,用于将所述减振模块固定于所述驱动单元内。3.根据权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述化学机械抛光装置还包括旋转接头,所述旋转接头与所述减振模块对接,以传递所述承载头旋转所需的驱动力。4.根据权利要求1所述的承载组件,其特征在于,所述主轴内沿轴向形成有多条气体通道,所述气体通道为折线形或曲线形,以避开所述第一减振单元所在的主轴区域。5.根据权利要求4所述的承载组件,其特征在于,所述气体通道包括依次贯通的第一竖向气道、横向气道和第二竖向气道;其中,所述横向气道由所述主轴的外壁沿径向打孔形成,所述横向气道在所述主轴的外壁的开口处设有封堵件。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵德文吴兴王国栋王同庆
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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