一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置制造方法及图纸

本发明专利技术为一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置，属于半导体材料装备制造技术领域，其包括水冷电极接管件，水冷电极接管件内设置有水冷电极，水冷电极包括水路连接组件、导电组件、锁紧组件和电极转接组件；其中，水路连接组件至少部分位于水冷电极接管件内；导电组件设置于水路连接组件位于水冷电极接管件外端的一侧；锁紧组件位于水冷电极接管件与导电组件之间，用于锁紧水冷电极接管件与水路连接组件，锁紧组件与水冷电极接管件之间设置有隔热绝缘件；电极转接组件的一端与水路连接组件固定连接，另一端与炉内加热件固定连接。本发明专利技术通过隔热绝缘件和绝缘法兰，确保了装置的安全性。装置的安全性。装置的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置


[0001]本专利技术涉及半导体材料装备制造领域，具体为一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件专用设备制造领域，半导体材料装备，尤其是SiC粉料合成及晶体生长，需要特定的粉料合成、晶体生长设备，即SiC粉料合成炉、SiC晶体生长炉；粉料合成炉及晶体生长炉均需要先抽真空，炉腔这一特定空间利用真空系统（由真空泵、真空测量装置、真空阀门等）将炉腔内气体排出，使炉腔内压强小于一个标准大气压，炉腔内空间从而实现真空状态，再往炉腔内充入工艺气体，炉腔内设置有加热保温系统，通过控制器控制；控制器可根据工艺要求编辑多段程序，能控制和编入上百个热处理曲线点。由于加热时炉内温度达到2000℃以上，所以对于电极引出装置的选择要求也相应提高，要保证耐高温、安全性、密封性、耐腐蚀性等。
[0003]因此，急需一种能保证耐高温、安全性、密封性、耐腐蚀性的碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在提供一种能保证耐高温、安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置，其特征在于，包括：水冷电极接管件，所述水冷电极接管件内设置有水冷电极，所述水冷电极包括水路连接组件、导电组件、锁紧组件和电极转接组件；其中，所述水路连接组件至少部分位于所述水冷电极接管件内；所述导电组件设置于所述水路连接组件的一侧，并位于所述水冷电极接管件外端；所述锁紧组件位于所述水冷电极接管件与所述导电组件之间，用于锁紧所述水冷电极接管件与所述水路连接组件；所述锁紧组件与所述水冷电极接管件之间设置有隔热绝缘件；所述电极转接组件的一端位于所述水冷电极接管件内，并与所述水路连接组件固定连接，另一端位于所述水冷电极接管件外，与炉内加热件固定连接。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置，其特征在于，所述水路连接组件包括：紫铜柱，所述紫铜柱的第一端至少部分位于所述水冷电极接管件的内侧，所述紫铜柱的第二端延伸至所述水冷电极接管件的外侧；堵盖，所述堵盖安装于所述紫铜柱的第二端，所述堵盖与所述紫铜柱之间设置有第一O型密封圈，所述堵盖与所述紫铜柱通过水嘴压紧螺母连接；细水管，所述细水管的第一端至少部分位于所述紫铜柱内侧，所述细水管的第二端贯穿所述堵盖，并位于所述紫铜柱的外侧形成弯折部；第一水嘴，所述第一水嘴与所述细水管的第二端的端部固定连接；第二水嘴，所述第二水嘴固定连接于所述堵盖的一侧。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅粉料合成及晶体生长炉的电极引出装置，其特征在于，所述导电组件包括：导电板，所述导电板设置于所述紫铜柱的第二端外侧，所述导电板与所述紫铜柱通过2个铜螺母...

【专利技术属性】
技术研发人员：余志明，刘洋洋，陈启迪，吕品，
申请(专利权)人：山西天成半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：