本实用新型专利技术公开了一种生长碳化硅单晶的装置，包括双层水冷式单晶硅生长炉主体与循环泵，所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁分别设有第一循环口与第二循环口，所述循环泵的输出端包括有输出接口与输入接口，所述输出接口连通有导液管，所述导液管的另一端与第二循环口连通，所述输入接口的顶部一端连通有出液管，所述出液管的顶部一端连通有循环过滤管。本实用新型专利技术通过循环过滤管内设有的过滤板能够将管道中循环的水进行过滤，能够将水中过滤中的杂质存留在循环过滤管的内部，避免杂质造成水管堵塞，有利于提供稳定的散热效果，防止损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。
【技术实现步骤摘要】
一种生长碳化硅单晶的装置
[0001]本技术涉及半导体生产设备辅助领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置。
技术介绍
[0002]碳化硅单晶材料，具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件，生长碳化硅需要使用单晶硅生长炉，炉膛内温度高达2300℃，不间断生长长达7天，碳化硅单晶生长炉采用炉体中空。
[0003]一般通过双层水冷式结构的炉体，给予炉体的内壁通入循环水，通入循环水的方式来对炉体和感应线圈进行保护，一旦水路堵塞，轻则影响散热，导致单晶炉内温场变化，使得碳化硅晶体产生微管、相变等缺陷乃至烧毁籽晶，重则导致爆管、烧毁线圈等重要设备，酿成生产事故，双层水冷式炉体内部的循环管路以及管路的连接处可避免会残留焊渣、生胶带、麻绳、铁锈等杂物，现有的过滤装置，过滤结构简单，容易堵塞，需要将过滤装置取出才能够清理杂物，不便于操作，为此我们提出一种生长碳化硅单晶的装置。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种生长碳化硅单晶的装置，以解决技术中的上述不足之处。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种生长碳化硅单晶的装置，包括双层水冷式单晶硅生长炉主体与循环泵，所述循环泵设于双层水冷式单晶硅生长炉主体的一侧，所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁分别设有第一循环口与第二循环口，所述循环泵的输出端包括有输出接口与输入接口，所述输出接口连通有导液管，所述导液管的另一端与第二循环口连通，所述输入接口的顶部一端连通有出液管，所述出液管的顶部一端连通有循环过滤管，所述循环过滤管的顶部一端分别连通有进液管与冲洗管，所述循环过滤管底部远离出液管的一端连通有排污管，所述进液管的另一端与第一循环口连通，所述循环过滤管的内壁固定设有过滤板。
[0006]优选的，所述排污管位于进液管的正下方，所述出液管位于冲洗管的正下方，所述过滤板位于进液管与冲洗管之间，所述过滤板位于排污管与出液管之间。
[0007]优选的，所述冲洗管的顶部一端外壁设有外螺纹接口，所述外螺纹接口的外壁螺接有内螺纹密封盖，所述排污管上设有第二阀门。
[0008]优选的，所述导液管的一侧外壁连通有加液管，所述加液管上设有第一阀门。
[0009]优选的，所述循环泵的一侧外壁固定设有固定板，所述固定板的一侧外壁开有等距离分布的固定孔，所述固定孔的内壁配有相适配的固定栓，便于将循环泵固定于双层水冷式单晶硅生长炉主体的侧壁。
[0010]优选的，所述双层水冷式单晶硅生长炉主体的一侧外壁通过铰链设有保温炉门，
所述保温炉门的外壁分别设有气压计与温度表，所述气压计与温度表的检测端均位于保温炉门的内壁，通过气压计便于检测双层水冷式单晶硅生长炉主体内的气压，通过温度表便于检测双层水冷式单晶硅生长炉主体内的温度。
[0011]优选的，所述保温炉门的一侧外壁设有轮盘锁，通过轮盘锁便于控制保温炉门的开合状态。
[0012]在上述技术方案中，本技术提供的技术效果和优点：
[0013]通过循环过滤管内设有的过滤板能够将管道中循环的水进行过滤，能够将水中过滤中的杂质存留在循环过滤管的内部，避免杂质造成水管堵塞，有利于提供稳定的散热效果，防止损毁双层水冷式单晶硅生长炉主体内的设备。
[0014]冲洗管一端螺接有的内螺纹密封盖旋出，连接上水管，将循环泵关闭，使双层水冷式单晶硅生长炉主体内水的停止流通，此时将排污管上设有的第二阀门打开，通过冲洗管将水注入循环过滤管内，对循环过滤管内设有的第二阀门进行反向冲洗，将过滤板外壁附着的污物通过排污管排入指定的容器内，便于清理污物，使用方便，操作简单。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本技术立体结构示意图；
[0017]图2为本技术循环泵结构示意图；
[0018]图3为本技术循环过滤管剖面结构示意图。
[0019]附图标记说明：
[0020]1双层水冷式单晶硅生长炉主体、2保温炉门、3气压计、4温度表、5轮盘锁、6第一循环口、7第二循环口、8循环泵、9输出接口、10导液管、11加液管、12第一阀门、13固定板、14固定孔、15输入接口、16循环过滤管、17进液管、18冲洗管、19排污管、20出液管、21过滤板、22内螺纹密封盖、23第二阀门。
具体实施方式
[0021]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍。
[0022]实施例一
[0023]参照说明书附图1
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3，一种生长碳化硅单晶的装置，包括双层水冷式单晶硅生长炉主体1与循环泵8，循环泵8设于双层水冷式单晶硅生长炉主体1的一侧，双层水冷式单晶硅生长炉主体1的侧壁分别设有第一循环口6与第二循环口7，循环泵8的输出端包括有输出接口9与输入接口15，输出接口9连通有导液管10，导液管10的另一端与第二循环口7连通，输入接口15的顶部一端连通有出液管20，出液管20的顶部一端连通有循环过滤管16，循环过滤管16的顶部一端分别连通有进液管17与冲洗管18，循环过滤管16底部远离出液管20的一端连通有排污管19，进液管17的另一端与第一循环口6连通，循环过滤管16的内壁固定设有过滤板21。
[0024]实施例二
[0025]基于实施例一的基础上，排污管19位于进液管17的正下方，出液管20位于冲洗管18的正下方，过滤板21位于进液管17与冲洗管18之间，过滤板21位于排污管19与出液管20之间，冲洗管18的顶部一端外壁设有外螺纹接口，外螺纹接口的外壁螺接有内螺纹密封盖22，排污管19上设有第二阀门23。
[0026]实施例三
[0027]基于实施例一的基础上，导液管10的一侧外壁连通有加液管11，加液管11上设有第一阀门12，循环泵8的一侧外壁固定设有固定板13，固定板13的一侧外壁开有等距离分布的固定孔14，固定孔14的内壁配有相适配的固定栓，便于将循环泵8固定于双层水冷式单晶硅生长炉主体1的侧壁，双层水冷式单晶硅生长炉主体1的一侧外壁通过铰链设有保温炉门2，保温炉门2的外壁分别设有气压计3与温度表4，气压计3与温度表4的检测端均位于保温炉门2的内壁，通过气压计3便于检测双层水冷式单晶硅生长炉主体1内的气压，通过温度表4便于检测双层水冷式单晶硅生长炉主体1内的温度，保温炉门2的一侧外壁设有轮盘锁5，通过轮盘锁5便于控制保温炉门2的开合状态。
[0028]本技术工作原理：
[0029]参照说明书附图1
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种生长碳化硅单晶的装置，包括双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)与循环泵(8)，其特征在于：所述循环泵(8)设于双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)的一侧，所述双层水冷式单晶硅生长炉主体(1)的侧壁分别设有第一循环口(6)与第二循环口(7)，所述循环泵(8)的输出端包括有输出接口(9)与输入接口(15)，所述输出接口(9)连通有导液管(10)，所述导液管(10)的另一端与第二循环口(7)连通，所述输入接口(15)的顶部一端连通有出液管(20)，所述出液管(20)的顶部一端连通有循环过滤管(16)，所述循环过滤管(16)的顶部一端分别连通有进液管(17)与冲洗管(18)，所述循环过滤管(16)底部远离出液管(20)的一端连通有排污管(19)，所述进液管(17)的另一端与第一循环口(6)连通，所述循环过滤管(16)的内壁固定设有过滤板(21)。2.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的装置，其特征在于：所述排污管(19)位于进液管(17)的正下方，所述出液管(20)位于冲洗管(18)的正下方，所述过滤板(21)位于进液管(17)与冲洗管(18)之间，所述过滤板(21)位于排污...
【专利技术属性】
技术研发人员：余志明，刘洋洋，李志强，陈启迪，吕品，
申请(专利权)人：山西天成半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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