半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供一半导体衬底；于半导体衬底内第一元件区域形成第一元件第一导电类型区；于半导体衬底内第二元件区域形成第一导电类型沟道区，第一元件第一导电类型区的掺杂浓度小于第一导电类型沟道区的掺杂浓度，第一元件第一导电类型区和第一导电类型沟道区至少部分处于同一水平面。上述半导体器件的制备方法，使得半导体器件能兼顾第一元件的反向恢复特性和第二元件的低闩锁效应，在保证第二元件的较低闩锁效应的情况下，能够提高第一元件的反向恢复特性。高第一元件的反向恢复特性。高第一元件的反向恢复特性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]逆导型绝缘栅双极型晶体管RC
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IGBT是由二极管和绝缘栅双极型晶体管IGBT复合的功率半导体器件，IGBT是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。由于逆导型绝缘栅双极型晶体管中二极管的改进反向恢复特性与IGBT的降低闩锁效应相互抵触，不能同时兼顾二极管的反向恢复特性和IGBT的低闩锁效应，在保证IGBT的较低闩锁效应时，二极管的反向恢复特性变差，目前还没有相关技术手段能解决这一问题。

技术实现思路

[0003]基于此，针对不能同时兼顾反向恢复特性和低闩锁效应的问题，本专利技术提供一种半导体器件及其制备方法。
[0004]本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底内第一元件区域形成第一元件第一导电类型区；于所述半导体衬底内第二元件区域形成第一导电类型沟道区，所述第一元件第一导电类型区的掺杂浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底内第一元件区域形成第一元件第一导电类型区；于所述半导体衬底内第二元件区域形成第一导电类型沟道区，所述第一元件第一导电类型区的掺杂浓度小于所述第一导电类型沟道区的掺杂浓度，所述第一元件第一导电类型区和所述第一导电类型沟道区至少部分处于同一水平面。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括逆导型绝缘栅双极型晶体管，所述第一元件包括二极管，所述第二元件包括绝缘栅双极型晶体管。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述半导体衬底内所述第二元件区域形成所述第一导电类型沟道区，包括：采用离子注入工艺于所述半导体衬底内所述第二元件区域形成所述第一导电类型沟道区，注入剂量介于1
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/cm2之间。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，于所述半导体衬底内所述第一元件区域形成所述第一元件第一导电类型区，包括：采用离子注入工艺于所述半导体衬底内所述第一元件区域形成所述第一元件第一导电类型区，其中，注入剂量介于1
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/cm2之间。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底包括第二导电类型漂移区，所述第二导电类型漂移区位于所述第一元件第一导电类型区和所述第一导电类型沟道区下方。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一元件第一导电类型区和所述第一导电类型沟道区之后，还包括：于所述半导体衬底内形成沟槽结构，所述沟槽结构从所述半导体衬底上表面贯穿所述第一元件第一导电类型区和/或所述第一导电类型沟道区延伸至所述漂移区。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽结构包括位于所述第二元件区域的栅极沟槽结构和位于所述第一元件区域的源极沟槽结构。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述源极沟槽结构之间的间距小于所述栅极沟槽结构之间的间距。9.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述沟槽结构之后，还包括：于所述半导体衬底上表面形成介质层，所述介质层包括开口，所述开口包括第一开口，所述第一开口暴露所述第一导电类型沟道区。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述介质层之后，还包括：通过所述第一开口于所述半导体衬底内所述第二元件区域形成第二导电类型源区，所述第二导电类型...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾大杰，高宗朋，
申请(专利权)人：上海鼎阳通半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：