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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供一半导体衬底；于半导体衬底内第一元件区域形成第一元件第一导电类型区；于半导体衬底内第二元件区域形成第一导电类型沟道区，第一元件第一导电类型区的掺杂浓度小于第一导电类型沟道区...
该专利属于上海鼎阳通半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海鼎阳通半导体科技有限公司授权不得商用。

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