发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括衬底、发光结构和增透层，所述发光结构和所述增透层分别位于所述衬底相对的两面，所述增透层包括多个高折射率层和多个低折射率层，所述多个高折射率层和所述多个低折射率层交替层叠设置在所述衬底上，所述增透层远离所述衬底的表面具有多个凹孔，使得光线也可以从凹孔的孔壁射出，并通过凹孔的孔壁向外反射，凹孔可以使一部分光线更快地射出增透层，减少这部分光线在增透层中的折射和反射次数，从而降低光损耗，进一步提升发光二极管芯片的亮度。亮度。亮度。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]为了提高发光二极管的出光效率，在发光二极管芯片中，通常设置有一些反射层或是增透层。例如，在以衬底的背面为出光面的发光二极管芯片中，在衬底的背面设置有增透层，有利于光线的射出，使发光二极管芯片的亮度得到一定的提升。
[0004]但是目前这种设置增透层的发光二极管芯片的亮度仍然不足以满足需要，有待进一步的提高。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，能够进一步提高发光二极管芯片的亮度。所述技术方案如下：
[0006]第一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，该发光二极管芯片包括衬底、发光结构和增透层，所述发光结构和所述增透层分别位于所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底(10)、发光结构(20)和增透层(30)，所述发光结构(20)和所述增透层(30)分别位于所述衬底(10)相对的两面，所述增透层(30)包括多个高折射率层(31)和多个低折射率层(32)，所述多个高折射率层(31)和所述多个低折射率层(32)交替层叠设置在所述衬底(10)上，所述增透层(30)远离所述衬底(10)的表面具有多个凹孔(30a)。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹孔(30a)的盲端位于所述低折射率层(32)中。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹孔(30a)的横截面积与横截面到所述衬底(10)的距离正相关。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹孔(30a)的底面与所述衬底(10)靠近所述增透层(30)的表面平行，所述凹孔(30a)的侧壁与所述凹孔(30a)的底面所呈的夹角不小于所述低折射率层(32)的全反射角。5.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹孔(30a)呈圆台形。6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭青，郝亚磊，高艳龙，尹灵峰，王江波，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：