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本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括衬底、发光结构和增透层，所述发光结构和所述增透层分别位于所述衬底相对的两面，所述增透层包括多个高折射率层和多个低折射率层，所述多个高折射率层和所述多个低...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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