一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为双折射量子阱结构。本发明专利技术具有结构简单、集成度高，光谱线宽窄，光谱模式可调等特点，在精密测量，显微组织成像，视觉成像，三维显示，光通信，量子通信等领域中有着广泛的应用前景。量子通信等领域中有着广泛的应用前景。量子通信等领域中有着广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管


[0001]本专利技术涉及二极管
，尤其涉及一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管。

技术介绍

[0002]线偏振光源在视觉成像、显微组织观测、光通信、量子通信等领域有着重要的应用。为了可以同时获得更多的信息，采用正交双偏振光源代替单方向的线偏振光源是一种可行性较高的方案。例如，采用双频率正交激光器可精确的测量物体之间的距离，物体的移动速度，以及旋转角度，已经被广泛在精密加工仪器上。目前，获得正交偏振光源的途径主要是依靠赛曼双频正交激光器。但是该激光器工作时需要施加一定方向和强度的磁场，很难实现在较小空间内的光路集成。
[0003]双折射半导体材料是指在晶体结构中，在两个方向上存在不同的折射率，一般为斜方晶系，和密排六方晶系。或者是由外部施加应力使材料的晶体结构发生形变，从而获得双折射性质。当一束光线通过双折射半导体材料后会形成一组正交偏振光。据报道，韩国首尔大学在蓝宝石图形化条纹衬底上外延生长c
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GaN外延片和量子阱，使其产生显著的各项异性，其光致发光光谱的线偏振度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管，其特征在于，所述器件，从下到上依次为金属衬底、下反射镜、平行平面谐振腔、上电极、上反射镜；所述平行平面谐振腔的外延层包括n型层、p型层以及有源区；其中n型层、p型层以及有源区均由双折射半导体材料制成，该有源区为双折射量子阱结构。2.如权利要求1所述的一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管，其特征在于，所述反射镜包括由两种不同折射率的介质膜交错叠加组合而成的分布布拉格反射镜，其中每层介质膜的厚度为1/4的中心波长，介质膜组合采用SiO2介质膜和TiO2、Ta2O5或Ti3O5中的任一介质膜组合。3.如权利要求2所述的一种同步辐射正交线偏振光谐振腔发光二极管，其特征在于，所述的器件的两个发射波长位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张保平，欧伟，梅洋，龙浩，应磊莹，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：