一种倒装Ag镜发光二极管芯片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒装Ag镜发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括；衬底；依次层叠在衬底上的外延层、电流传输层、布拉格反射层、Ag反射层、绝缘层以及焊盘层；其中，布拉格反射层、绝缘层以及Ag反射层上均设有导电通孔、绝缘层上的导电通孔与布拉格反射层上的导电通孔正向投影完全重合，Ag反射层上的导电通孔与绝缘层上的导电通孔为同心设置，且Ag反射层上的导电通孔的面积大于绝缘层上的导电通孔的面积，以使焊盘层通过布拉格反射层以及绝缘层的导电通孔与电流传输层电性连接。本发明专利技术解决了现有技术中为了防止Ag反射层中的Ag发生电迁移铺设惰性金属层导致Ag反射层面积小影响二极管亮度的问题。积小影响二极管亮度的问题。积小影响二极管亮度的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装Ag镜发光二极管芯片及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种倒装Ag镜发光二极管芯片及制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。
[0003]现有的倒装Ag镜发光二极管芯片，Ag既作为反射镜，又作为P电极的电流扩展层应用，但是Ag极易发生电迁移，导致芯片失效，现有的防止Ag发生迁移的方法为，在Ag反射层之上做一层面积大于Ag反射层的惰性金属例如Ti或Pt，但是做金属薄膜成本较高，且惰性金属面积必须大于Ag反射层面积，导致Ag反射层面积较小，引起发光二极管亮度损失。

技术实现思路

[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种倒装Ag镜发光二极管芯片及制备方法，旨在解决现有技术中为了防止Ag反射层中的Ag发生电迁移铺设惰性金属层导致Ag反射层面积小，进而影响发光二极管亮度的问题。r/>[0005]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装Ag镜发光二极管芯片，其特征在于，包括；衬底；依次层叠在所述衬底上的外延层、电流传输层、布拉格反射层、Ag反射层、绝缘层以及焊盘层；其中，所述布拉格反射层、绝缘层以及Ag反射层上均设有导电通孔，所述绝缘层上的导电通孔与所述布拉格反射层上的导电通孔的正向投影完全重合，所述Ag反射层上的导电通孔与所述绝缘层上的导电通孔为同心设置，且所述Ag反射层上的导电通孔的面积大于所述绝缘层上的导电通孔的面积，以使所述焊盘层通过所述布拉格反射层以及绝缘层的导电通孔与所述电流传输层电性连接。2.根据权利要求1所述的倒装Ag镜发光二极管芯片，其特征在于，所述电流传输层包括P型电流传输层和N型电流传输层，所述焊盘层包括P型焊盘层和N型焊盘层，所述绝缘层上的导电通孔包括P型绝缘层导电通孔和N型绝缘层导电通孔，所述布拉格反射层上的导电通孔包括P型布拉格反射层导电通孔和N型布拉格反射层导电通孔，所述P型焊盘层通过所述P型布拉格反射层导电通孔和P型绝缘层导电通孔与所述P型电流传输层电性连接，所述N型焊盘层通过所述N型布拉格反射层导电通孔和N型绝缘层导电通孔与所述N型电流传输层电性连接。3.根据权利要求1所述的倒装Ag镜发光二极管芯片，其特征在于，所述Ag反射层包括与所述布拉格反射层接触的底层、以及设于所述底层远离所述布拉格反射层一侧的上层。4.根据权利要求3所述的倒装Ag镜发光二极管芯片，其特征在于，所述底层由Ag材质制成，所述上层由Ni、Pt、TiW、Ti材质中的一种或多种制成。5.根据权利要求1所述的外延片倒装Ag镜发光二极管芯片，其特征在于，所述布拉格反射层由预设对数的SiO2和Ti3O5层堆叠形成。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，鲁洋，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：