一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，包括池体，所述池体的外表面一侧固定连接有两个筒体，且两个筒体上下错位设置，两个所述筒体的顶部均固定连接有料筒，两个所述料筒的内壁均安装有均匀落料组件，顶部所述筒体的外表面两侧分别固定互通有进水管和连接管，且进水管与连接管上下错位设置，所述进水管与底部筒体固定互通，两个所述筒体的内部均安装有搅拌组件。本实用新型专利技术中，通过设置筒体、料筒和连接管，采用一体式设计，减少占地面积，从而降低含氟废水处理成本，增加经济效益，再通过设置的搅拌组件和驱动组件，可以对筒体内部废水进行搅拌，从而有利于混凝剂、助凝剂与含氟废水混合，缩减反应时间。缩减反应时间。缩减反应时间。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置


[0001]本技术涉及含氟废水处理
，尤其涉及一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的发展，半导体生产量的提升，半导体生产过程中硅片刻蚀，清洗等过程会产生大量的含酸废水和含氟废水。含氟废水在处理过程中，需要使用混凝沉淀装置；
[0003]目前含氟废水混凝沉淀装置大多采用斜管沉淀池进行沉淀，为了提高含氟废水的处理效率，通常会辅助增加混凝池和絮凝池，但是这种独立设置方法不仅占用面积大，同时增加废水处理成本，缩减经济效益。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，包括池体，所述池体的外表面一侧固定连接有两个筒体，且两个筒体上下错位设置，两个所述筒体的顶部均固定连接有料筒，两个所述料筒的内壁均安装有均匀落料组件，顶部所述筒体的外表面两侧分别固定互通有进水管和连接管，且进水管与连接管上下错本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，包括池体(1)，其特征在于：所述池体(1)的外表面一侧固定连接有两个筒体(10)，且两个筒体(10)上下错位设置，两个所述筒体(10)的顶部均固定连接有料筒(4)，两个所述料筒(4)的内壁均安装有均匀落料组件，顶部所述筒体(10)的外表面两侧分别固定互通有进水管(3)和连接管(12)，且进水管(3)与连接管(12)上下错位设置，所述进水管(3)与底部筒体(10)固定互通，两个所述筒体(10)的内部均安装有搅拌组件，两个所述搅拌组件共同安装有驱动组件，底部所述筒体(10)的外表面一侧底部固定连接有固定管(14)，且固定管(14)贯穿池体(1)的外表面延伸至内部，所述固定管(14)的出口处固定连接有挡帽(17)。2.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：两个所述均匀落料组件均包括料斗(11)，且料斗(11)与料筒(4)之间固定连接，所述料斗(11)的底部中心处固定连接有孔板(19)，所述料斗(11)的外表面固定安装有防水振动电机(18)。3.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：两个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秀丽，蔡诚，柯永文，于浩，刘海龙，吴秀美，吴伟杰，梁志群，
申请(专利权)人：天津美天水环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：