一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置制造方法及图纸

技术编号:37328200 阅读:14 留言:0更新日期:2023-04-21 23:06
本实用新型专利技术公开了一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,包括池体,所述池体的外表面一侧固定连接有两个筒体,且两个筒体上下错位设置,两个所述筒体的顶部均固定连接有料筒,两个所述料筒的内壁均安装有均匀落料组件,顶部所述筒体的外表面两侧分别固定互通有进水管和连接管,且进水管与连接管上下错位设置,所述进水管与底部筒体固定互通,两个所述筒体的内部均安装有搅拌组件。本实用新型专利技术中,通过设置筒体、料筒和连接管,采用一体式设计,减少占地面积,从而降低含氟废水处理成本,增加经济效益,再通过设置的搅拌组件和驱动组件,可以对筒体内部废水进行搅拌,从而有利于混凝剂、助凝剂与含氟废水混合,缩减反应时间。缩减反应时间。缩减反应时间。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置


[0001]本技术涉及含氟废水处理
,尤其涉及一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的发展,半导体生产量的提升,半导体生产过程中硅片刻蚀,清洗等过程会产生大量的含酸废水和含氟废水。含氟废水在处理过程中,需要使用混凝沉淀装置;
[0003]目前含氟废水混凝沉淀装置大多采用斜管沉淀池进行沉淀,为了提高含氟废水的处理效率,通常会辅助增加混凝池和絮凝池,但是这种独立设置方法不仅占用面积大,同时增加废水处理成本,缩减经济效益。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,包括池体,所述池体的外表面一侧固定连接有两个筒体,且两个筒体上下错位设置,两个所述筒体的顶部均固定连接有料筒,两个所述料筒的内壁均安装有均匀落料组件,顶部所述筒体的外表面两侧分别固定互通有进水管和连接管,且进水管与连接管上下错位设置,所述进水管与底部筒体固定互通,两个所述筒体的内部均安装有搅拌组件,两个所述搅拌组件共同安装有驱动组件,底部所述筒体的外表面一侧底部固定连接有固定管,且固定管贯穿池体的外表面延伸至内部,所述固定管的出口处固定连接有挡帽。
[0006]进一步的,两个所述均匀落料组件均包括料斗,且料斗与料筒之间固定连接,所述料斗的底部中心处固定连接有孔板,所述料斗的外表面固定安装有防水振动电机,因振动电机的工作环境较为潮湿,所以选用防水振动电机,从而保证振动电机的使用寿命。
[0007]进一步的,两个所述搅拌组件均包括转轴,且转轴垂直贯穿筒体的内部延伸至底部并与转轴之间固定连接,所述转轴的外表面均匀固定安装有多个搅拌棒,且搅拌棒位于筒体的内部,转轴与筒体转动连接处共同安装有机械密封,保证连接处的密封性,避免发生泄漏现象。
[0008]进一步的,所述驱动组件包括固定板,且固定板与池体的外表面之间固定连接,所述固定板的底部固定安装有驱动电机,所述驱动电机的驱动端固定安装有双带轮,所述双带轮的外表面两侧均设有单带轮,所述双带轮与单带轮之间共同连接有皮带,可以同时驱动两个搅拌组件运行,减少驱动电机的设置,从而降低驱动能耗和制造成本。
[0009]进一步的,顶部所述料筒的内部设有混凝剂,底部所述料筒的内部设有助凝剂,混凝剂为硫酸亚铁,助凝剂为聚丙烯酰胺,从而有利于含氟废水混凝沉淀。
[0010]进一步的,所述池体的外表面一侧固定互通有出水管,所述出水管的进水端固定
安装有滤网,滤网具有一定过滤作用。
[0011]进一步的,所述池体的内表面固定安装有斜管层。
[0012]本技术的有益效果:
[0013]本技术在使用时,该半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,通过设置筒体、料筒和连接管,采用一体式设计,减少占地面积,从而降低含氟废水处理成本,增加经济效益,再通过设置的搅拌组件和驱动组件,可以对筒体内部废水进行搅拌,从而有利于混凝剂、助凝剂与含氟废水混合,缩减反应时间。
附图说明
[0014]图1为本技术的整体结构示意图;
[0015]图2为本技术的驱动组件与搅拌组件安装示意图;
[0016]图3为本技术的池体剖视图;
[0017]图4为本技术的均匀落料组件结构示意图。
[0018]图例说明:
[0019]1、池体;2、斜管层;3、进水管;4、料筒;5、出水管;6、搅拌棒;7、转轴;8、固定板;9、单带轮;10、筒体;11、料斗;12、连接管;13、驱动电机;14、固定管;15、皮带;16、双带轮;17、挡帽;18、防水振动电机;19、孔板。
具体实施方式
[0020]图1至图4所示,涉及一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,包括池体1,池体1的外表面一侧固定连接有两个筒体10,且两个筒体10上下错位设置,两个筒体10的顶部均固定连接有料筒4,两个料筒4的内壁均安装有均匀落料组件,顶部筒体10的外表面两侧分别固定互通有进水管3和连接管12,且进水管3与连接管12上下错位设置,进水管3与底部筒体10固定互通,两个筒体10的内部均安装有搅拌组件,两个搅拌组件共同安装有驱动组件,底部筒体10的外表面一侧底部固定连接有固定管14,且固定管14贯穿池体1的外表面延伸至内部,固定管14的出口处固定连接有挡帽17。
[0021]图1和图3所示,池体1的外表面一侧固定互通有出水管5,出水管5的进水端固定安装有滤网。
[0022]池体1的内表面固定安装有斜管层2。
[0023]图2所示,两个搅拌组件均包括转轴7,且转轴7垂直贯穿筒体10的内部延伸至底部并与转轴7之间固定连接,转轴7的外表面均匀固定安装有多个搅拌棒6,且搅拌棒6位于筒体10的内部。
[0024]驱动组件包括固定板8,且固定板8与池体1的外表面之间固定连接,固定板8的底部固定安装有驱动电机13,驱动电机13的驱动端固定安装有双带轮16,双带轮16的外表面两侧均设有单带轮9,双带轮16与单带轮9之间共同连接有皮带15。
[0025]顶部料筒4的内部设有混凝剂,底部料筒4的内部设有助凝剂。
[0026]图2和图4所示,两个均匀落料组件均包括料斗11,且料斗11与料筒4之间固定连接,料斗11的底部中心处固定连接有孔板19,料斗11的外表面固定安装有防水振动电机18。
[0027]在使用半导体行业含氟废水混凝沉淀装置时,含氟废水通过进水管3进入顶部筒
体10的内部,然后通过连接管12流入底部筒体10,最后通过固定管14流入池体1的内部,挡帽17对废水具有阻挡缓冲的作用,与此同时启动防水振动电机18和驱动电机13,顶部防水振动电机18带动料斗11振动,有利于混凝剂通过孔板19落入含氟废水中,底部防水振动电机18带动料斗11振动,有利于助凝剂通过孔板19落入含氟废水中,而驱动电机13驱动双带轮16转动,从而通过两个皮带15带动两个单带轮9转动,从而使得两个转轴7转动,转轴7与搅拌棒6配合,对两个筒体10内部含氟废水进行搅拌,有利于混凝剂、助凝剂与含氟废水混合。
[0028]以上所述仅为本技术的较佳实施例,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,包括池体(1),其特征在于:所述池体(1)的外表面一侧固定连接有两个筒体(10),且两个筒体(10)上下错位设置,两个所述筒体(10)的顶部均固定连接有料筒(4),两个所述料筒(4)的内壁均安装有均匀落料组件,顶部所述筒体(10)的外表面两侧分别固定互通有进水管(3)和连接管(12),且进水管(3)与连接管(12)上下错位设置,所述进水管(3)与底部筒体(10)固定互通,两个所述筒体(10)的内部均安装有搅拌组件,两个所述搅拌组件共同安装有驱动组件,底部所述筒体(10)的外表面一侧底部固定连接有固定管(14),且固定管(14)贯穿池体(1)的外表面延伸至内部,所述固定管(14)的出口处固定连接有挡帽(17)。2.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,其特征在于:两个所述均匀落料组件均包括料斗(11),且料斗(11)与料筒(4)之间固定连接,所述料斗(11)的底部中心处固定连接有孔板(19),所述料斗(11)的外表面固定安装有防水振动电机(18)。3.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置,其特征在于:两个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴秀丽蔡诚柯永文于浩刘海龙吴秀美吴伟杰梁志群
申请(专利权)人:天津美天水环境科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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