平板式电阻电容及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种平板式电阻电容及其制造方法，其特点是：利用压板技术在高介电系数基材表、底面分别形成铜层而构成基板，又在基板上依序进行光阻涂布、影像转移、蚀刻等步骤后构成平板式电容，随后将具有高电阻系数的导电层印刷至基板的适当位置以构成平板式电阻，上述内建式的平板电阻、电容可大量释放出印刷电路的表面空间，提高被动元件密度，并有助于降低传输线上寄生的电容、电感及电阻，以增进信号输送品质。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻电容及其制造方法，尤其涉及一种利用蚀刻印刷法在一基板上同时形成的电阻电容的。印刷电路板在表面或内部多层构造上分别形成有线路，各线路主要用于电子元件间的电气连接或信号传送。然而在信息快速发展及功能性要求大幅提升的趋势下，产生了两种现象其一为电路表面黏着元件的数量大幅增加，其二为高密度印刷电路的需求日趋殷切，但上述趋势却产生下列问题1.电子元件数量增加，相邻元件间的距离缩短，当电路开始工作时，元件间发生辐射干扰的机率大幅提升，从而直接影响电路工作的稳定性。2.又因电子元件数量增加，元件信号可能必须通过不同形式的路径进行传输(如通过导通孔构成电气连接或信号传输)，从而增多了线路阻抗不匹配的情况及线路噪声。3.再者，因电子元件数量增加，将使生产成品率相对降低，并因而提高生产制造成本。4.另，电子元件数量的增加，亦不利于印刷电路板表面面积的缩小。为解决高密度印刷电路所衍生的各项问题，OHMEGA公司提出了在印刷电路板中内建电阻的技术，以取代高密度印刷电路中在表面所设的电阻元件，其技术原理主要是根据以下的公式R=(ρt×LW)]]>其中R为电阻值，ρ为电阻系数，t为厚度，W为宽度。由上述公式中可以看出，通过L(长度)、W(宽度)的改变可用以调整R(电阻值)，因此，OHMEGA公司以不同的ρ(电阻系数)/t(厚度)，并利用L(长度)、W(宽度)的改变以生产所须阻抗值的电阻(R)。并且利用目前运用十分普遍的多层印刷电路制造技术，将电阻制作在印刷电路板结构中从而形成内建电阻，而内建在印刷电路板结构中的电阻，可有效取代印刷电路板表面所须的电阻元件，因此可减少印刷电路板表面的元件数量及面积占有率。除上述内建内阻外，电容亦经常以其他方式形成，以既有的多层印刷电路板而言，其经常令两个不同电位的电源层(如VCC及GND)靠近，利用其二者所在的大铜面产生一附加电容，以调节电压。其公式是如下列 在上述公式中，ε(介电系数)是受材料特性所左右，因此通过A(面积)与d(距离)的改变可以控制产生所须的电容。由上述可知，将电阻及电容等被动元件内建埋置于印刷电路的结构中，以有效减少表面元件数量并释出表面空间的作法是可行的，然而上述的内建电阻及埋置电容是分别以不同的技术手段达成，未能在同一制程中完成，造成应用上之不便，并且由于上述内建电容及电阻分别位于不同的基材上，亦有浪费材料而增加成本之嫌。本专利技术的主要目的在于提供一种形成平板式电阻电容的方法，它能利用蚀刻印刷法在一基板上同时形成平板式电阻及电容。本专利技术的次一目的在于提供一种平板式电阻电容的制造方法，它能利用压板技术在高介电系数基材表底面分别形成铜层而构成基板，进而取得所需的电容和电阻。本专利技术的又一目的在于提供一种平板式电阻电容的制造方法，它能将平板式电阻电容运用到高频电路中的交流终端法，以减少线路上的反射噪声。本专利技术的目的是这样实现的一种平板式电阻电容的制造方法，其特点是包括一在高介电系数基材表底面分别形成铜层，以构成基板的步骤，一在基板上涂布光阻并进行影像转移的步骤，一在基板上进行影像蚀刻，而分别在基材上形成适当面积的铜层，以构成平板式电容的步骤，一去除光阻步骤，一在基板上印刷具高电阻系数导电层，以构成平板式电阻的步骤。在上述的平板式电阻电容的制造方法中，其中，所述的该基板的基材具备固定的介电系数与厚度，可经控制相对铜层的面积以取得所需容值的电容。在上述的平板式电阻电容的制造方法中，其中，所述的该平板式电容的容值是根据C=255×ϵr×At]]>决定，其中εr为基材的介电系数，A为铜层的面积，t为高介电系数基材的厚度。在上述的平板式电阻电容的制造方法中，其中，所述的该平板式电阻阻值是根据R=ρ×LA=(ρT)×(LW)]]>决定，其中ρ为导电层的电阻系数，L、W、T分别为导电层的长、宽、厚度。在上述的平板式电阻电容的制造方法中，其中，所述的该基板上的导电层是由钨金属或导电高分子构成。在上述的平板式电阻电容的制造方法中，其中，所述的该导电层外涂布有树脂，以防止氧化改变阻值。一种平板式电阻电容，其特点是在一高介电系数基材表面、底面分别形成有适当面积的铜层，令相对铜层间构成一平板式电容，又在基板上的适当位置设有具高电阻系数的导电层，该导电层与部分铜层构成电气连接，以构成平板式电阻。在上述的平板式电阻电容中，其中，所述的该基材是具备固定的介电系数与厚度，经控制铜层的面积可取得所需容值的电容。在上述的平板式电阻电容中，其中，所述的该平板式电容的容值是根据C=255×ϵr×At]]>决定，其中εr为基材的介电系数，A为铜层的面积，t为高介电系数基材的厚度。在上述的平板式电阻电容中，其中，所述的该平板式电阻的阻值是根据R=ρ×LA=(ρT)×(LW)]]>决定，其中ρ指导电层的电阻系数，L、W、T分别为导电层的长、宽、厚度。在上述的平板式电阻电容中，其中，所述的该导电层是由钨金属或导电高分子构成。在上述的平板式电阻电容中，其中，所述的该导电层外涂布有树脂，以防止氧化改变阻值。本专利技术由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和效果1.本专利技术由于利用多层基板配合蚀刻印刷法以同时形成平板式电阻、电容，不仅能将电阻、电容等被动元件内建于基板中，以减少印刷电路板表面的元件数目外，同时，可令印刷电路板表面释出更多的空间，供电气连接、信号传输或其他加工、功能升级用途，从而可有效解决电路密度过高所衍生的各项问题；2.本专利技术由于能在同一制程中同时形成平板式电阻、电容，因此，其不仅加工简单，并且给应用提供更多的方便；3.本专利技术由于能在一基板上同时形成平板式电阻及电容，使之既节约材料且降低了成本。通过以下对本专利技术平板式电阻电容的制造方法的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解本专利技术的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为附图说明图1是依据本专利技术提出的的流程方块图。图2A～E是依据本专利技术提出的平板式电阻电容的制造方法的流程步骤示意图。图3A～C是本专利技术中平板式电阻制造方法的流程步骤示意图。图4是本专利技术在平板式电阻上涂布树脂的示意图。图5是现有技术在高频电路上所设交流终端法的线路图。图6是依据本专利技术提出的平板式电阻电容的制造方法在高频电路上作交流终端法运用的实施例示意图。如图1所示，这是有关本专利技术用以制作平板式电阻电容的流程步骤，其包括有“基板制作”、“光阻涂布及影像转移”、“影像蚀刻”、“去除光阻”、“印刷导电层”等步骤；其中有关“基板制作”步骤请参见图2A所示，该基板10是用以制作的平板式电容的基础材料，主要是在一基材11表面及底面分别形成一铜层12、13。“光阻涂布及影像转移”步骤请参见图2B所示，其是在基板10的表面及底面分别涂布以光阻20(photo-resister)，随后利用光罩将设计完成的视频信号30转移至光阻20上，并溶解去除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板式电阻电容的制造方法，其特征在于包括： 一在高介电系数基材表底面分别形成铜层，以构成基板的步骤， 一在基板上涂布光阻并进行影像转移的步骤， 一在基板上进行影像蚀刻，而分别在基材上形成适当面积的铜层，以构成平板式电容的步骤， 一去除光阻步骤， 一在基板上印刷具高电阻系数导电层，以构成平板式电阻的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林文彦，黄士庭，
申请(专利权)人：华通电脑股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]