GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法，方法包括：1)提供n型衬底；2)在n型衬底上形成n型GaN漂移层；3)在n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构，以隔离出多个n型GaN漂移区；4)在n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷离子和第二缺陷离子，以在n型GaN漂移区的周侧形成高阻区，第一缺陷离子包括C离子和N离子中的一种或两种，第二缺陷离子包括He离子；5)在n型GaN漂移区上形成阳极，在n型衬底的底面形成阴极。本发明专利技术可以有效提高肖特基二极管的反向耐压以及减小反向高压下的漏电。耐压以及减小反向高压下的漏电。耐压以及减小反向高压下的漏电。

【技术实现步骤摘要】
GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，宽禁带半导体——氮化镓(GaN)因其优越的材料性能，广泛应用在功率和射频器件应用领域。垂直肖特基二极管，因具有良好的性能，引起了人们高度重视并广泛应用。该二极管的主要特点为：1)开启电压低，损耗低；2)易于设计，可以大幅简化电路。
[0003]然而，现有的垂直氮化镓肖特基二极管也存在明显的缺陷：1)耐压能力不足；2)反向加压时，容易产生较大的漏电流。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法，用于解决现有技术中氮化镓肖特基二极管耐压低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN基垂直型肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：1)提供n型衬底；2)在所述n型衬底上形成n型GaN漂移层；3)在所述n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构，以隔离出多个n型GaN漂移区；4)在所述n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷离子和第二缺陷离子，以在所述n型GaN漂移区的周侧形成高阻区，所述第一缺陷离子包括C离子和N离子中的一种或两种，所述第二缺陷离子包括He离子；5)在所述n型GaN漂移区上形成阳极，在所述n型衬底的底面形成阴极。2.根据权利要求1所述的GaN基垂直型肖特基二极管的制备方法，其特征在于，步骤4)包括：4
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1)在所述n型GaN漂移区上形成遮挡层，在所述遮挡层中对应所述n型GaN漂移区的周侧处形成注入窗口；4
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2)在所述注入窗口依次注入所述第一缺陷离子和所述第二缺陷离子，以在所述n型GaN漂移区的周侧形成高阻区；4
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3)去除所述遮挡层。3.根据权利要求2所述的GaN基垂直型肖特基二极管的制备方法，其特征在于：在所述注入窗口依次注入第一缺陷离子和第二缺陷离子包括：进行第一次离子注入，注入离子为所述第一缺陷离子，注入能量为180KeV～220KeV，注入剂量为大于或等于3E15cm
‑2；进行第二次离子注入，注入离子为所述第二缺陷离子，注入能量为130KeV～170KeV，注入剂量为大于或等于3E15cm
‑2；进行第三次离子注入，注入离子为所述第一缺陷离子，注入能量为130KeV～170KeV，注入剂量为大于或等于2E15cm
‑2；进行第四次离子注入，注入离子为所述第二缺陷离子，注入能量为50KeV～60KeV，注入剂量为大于或等于2E15cm
‑2。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞，韩甲俊，李博，敖辉，刘新科，庄文荣，
申请(专利权)人：东莞市中器集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：