本发明提供一种集成功率器件及其制作方法，其包括半导体结构；介质层，介质层具有平坦表面；第一金属互联层，包括电容底电极和与第一导电孔连接的第一布线层；电容保护环；电容介质层，电容介质层中形成有分别连接第一布线层的第二导电孔；第二金属互联层...

本发明提供一种具有电容补偿的集成功率器件及其制作方法，其包括半导体结构；介质层；第一金属互联层，包括电容底电极和与第一导电孔连接的第一布线层；电容保护环；电容补偿环；电容介质层，电容介质层中形成有分别连接第一布线层的第二导电孔；第二金属...

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括步骤：1)提供一半导体结构；2)在半导体结构上形成底部势垒层；3)在底部势垒层上形成顶部势垒层，顶部势垒层形成有栅极槽，栅极槽显露底部势垒层的顶面；4)在栅极槽中形成栅极结构。本发明通过底部势垒层...

本发明提供一种多孔结构及其制作方法，方法包括：在生长衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长表面具有缺陷孔的碳掺氮化镓层，通过控制碳的掺杂浓度控制缺陷孔密度；在碳掺氮化镓层的表面生长本征氮化镓层，在缺陷孔的位置形成延伸孔；在本征氮化镓层的表面生...

本发明提供一种电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；接触层；漂移层；电流阻挡层，电流阻挡层中设有电流孔；背势垒层；沟道层；顶势垒层，顶势垒层与沟道层形成二维电子气沟道；栅极，设置于顶势垒层上且对应设置于电流孔上方；漏极，...

本发明提供一种高阈值电压增强型HEMT器件的制备方法，包括：于衬底上形成缓冲层和非故意掺杂GaN层；形成AlGaN势垒层，非故意掺杂GaN层与AlGaN势垒层形成异质结，异质结中形成有二维电子气；形成P型GaN盖帽层；刻蚀以形成P型Ga...

本发明提供一种倾斜式GaN基结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：n型衬底；n型GaN漂移区，n型GaN漂移区具有倾斜侧壁；p型掺杂区，排布于n型GaN漂移区中，其中，p型掺杂区的掺杂源包括Mg离子和O离子；倾斜式场板介质层，设置在倾斜...

本发明提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法，方法包括：1)提供n型衬底；2)在n型衬底上形成n型GaN漂移层；3)在n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构，以隔离出多个n型GaN漂移区；4)在n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷...

本发明提供一种氮化镓同质外延方法，包括步骤：提供一氮化镓衬底，在氮化镓衬底上生长氮化镓外延层，其中，生长氮化镓外延层包括多个生长阶段，每个当前生长阶段的生长温度高于前一生长阶段的生长温度，每个当前生长阶段的生长速率大于前一生长阶段的生长...

本发明提供一种氮化镓器件结构及其制备方法，氮化镓器件结构包括：氮化镓衬底，包括相对的第一面和第二面，氮化镓衬底中设置有自第二面朝第一面延伸的多个散热孔；功能层，设置于衬底第一面上；散热金属层，包括填充于散热孔内的多个导热金属柱以及设置于...

本实用新型提供一种半导体装置，半导体装置包括：半导体器件结构；钝化层；第一平坦化层，覆盖于钝化层上，第一平坦化层和钝化层在半导体器件结构的电极上方具有镂空窗口；金属互联层，位于第一平坦化层的上表面，并通过镂空窗口与半导体器件结构的电极相...

本发明提供一种高耐压垂直型二极管及其制备方法，二极管包括：衬底；N型GaN漂移层，设置于衬底的第一面上，N型GaN漂移层的掺杂浓度小于或等于1