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本发明提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法，方法包括：1)提供n型衬底；2)在n型衬底上形成n型GaN漂移层；3)在n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构，以隔离出多个n型GaN漂移区；4)在n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷离子...
该专利属于东莞市中器集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中器集成电路有限公司授权不得商用。

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