本公开实施例提供一种补偿刷新方法、装置及存储器，所述方法包括：获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数；基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔；根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，并确定出所述薄弱行的自刷新时刻；根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新。新。新。
【技术实现步骤摘要】
一种补偿刷新方法、装置及存储器
[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种补偿刷新方法、装置及存储器。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)作为易失性存储介质，其通常在掉电后数据会消失，即使在通电时也要及时刷新数据以保持数据的稳定性，若不及时刷新，DRAM内部的存储单元(Cell)中的电荷会随时间慢慢流失，导致数据丢失。
[0003]理论上，在一倍速刷新率时，只要DRAM内存储单元的电荷有效保持时间超过一倍速刷新间隔即可保证数据的稳定，可是如果DRAM内部分存储单元的数据保持能力较弱，小于一倍速刷新间隔时，在实际应用中很可能会导致数据的丢失。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种补偿刷新方法、装置及存储器、存储器。
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种补偿刷新方法，所述方法包括：获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数；基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔；根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，并确定出所述薄弱行的自刷新时刻；根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新。
[0006]在一些实施例中，所述基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔，包括：基于所述补偿系数确定补偿刷新次数；基于所述补偿刷新次数和预设的标准时间间隔，确定补偿时间间隔。
[0007]在一些实施例中，所述基于所述补偿系数确定补偿刷新次数，包括：通过所述补偿系数与温度系数相乘，获得所述补偿刷新次数；其中，所述温度系数与温度相关，温度越高所述温度系数的取值越高。
[0008]在一些实施例中，所述获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数，包括：
[0009]预设的标准时间间隔除以所述薄弱行的数据保持时间，所得之商向下取整，获得所述对应的补偿系数；其中，所述预设的标准时间间隔为不需要进行所述补偿刷新的正常行最小的数据保持时间。
[0010]在一些实施例中，所述薄弱行的行地址、所述补偿刷新次数和所述补偿时间间隔均被寄存于管理列表；所述管理列表还寄存起始标志。
[0011]在一些实施例中，所述根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，包括：在进行自刷新的过程中，依次将所述薄弱行的行地址与当前行地址进行匹配，以匹配出所述薄弱行进行的自刷新；所述当前行地址为当前进行自刷新的行地址。
[0012]在一些实施例中，所述依次将所述薄弱行的行地址与当前行地址进行匹配，包括：在所述管理列表中，将所述起始标志设置为第一值；获取所述当前行地址；将所述当前行地址与所述薄弱行的行地址逐一进行匹配；若所述当前行地址属于所述薄弱行的行地址，则在所述管理列表中，重置所述薄弱行对应的补偿刷新次数，并将所述薄弱行对应的起始标
志设置为第二值。
[0013]在一些实施例中，所述根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新，包括：在所述管理列表中，确认所述薄弱行对应的起始标志；若所述起始标志为第二值，则以所述薄弱行的自刷新时刻为起始，每经过一次所述补偿时间间隔，则对所述薄弱行进行一次所述补偿刷新，直至达到所述补偿刷新次数，并将所述起始标志重置为第一值。
[0014]在一些实施例中，以所述薄弱行的自刷新时刻为起始，每经过一次所述补偿时间间隔，则对所述薄弱行进行一次所述补偿刷新，直至达到所述补偿刷新次数，包括：遍历所述管理列表，确定所述薄弱行对应的所述补偿刷新次数和所述补偿时间间隔；以所述薄弱行的自刷新时刻为起始，每经过一次所述补偿时间间隔，则对所述薄弱行进行一次所述补偿刷新，并在所述管理列表中，将所述薄弱行对应的所述补偿刷新次数减1，直至所述薄弱行对应的所述补偿刷新次数被减为0。
[0015]在一些实施例中，所述获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数之后，所述方法还包括：判断所述管理列表是否为空；若所述管理列表为空，则不执行所述补偿刷新。
[0016]第二方面，本公开实施例提供一种补偿刷新装置，所述装置包括：记录模块，被配置为保存薄弱行的行地址和对应的补偿系数；补偿管理模块，被配置为从所述记录模块获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数；基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔；根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，并确定出所述薄弱行的自刷新时刻；根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新。
[0017]在一些实施例中，所述补偿管理模块包括：初始化模块，被配置为获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数；基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔；判决模块，被配置为根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，并确定出所述薄弱行的自刷新时刻；执行模块，被配置为根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新。
[0018]在一些实施例中，补偿管理模块还包括：寄存模块，被配置为寄存管理列表；所述管理列表包括对应于每一所述薄弱行的项目信息组。
[0019]在一些实施例中，所述项目信息组包括：所述薄弱行的行地址、所述补偿刷新次数、所述补偿时间间隔和预设的起始标志。
[0020]第三方面，本公开实施例提供一种半导体存储器，包括上述任一项所述的补偿刷新装置。
[0021]在一些实施例中，所述存储器包括动态随机存取存储器。
[0022]本公开实施例提供的一种补偿刷新方法、装置及存储器，其中，补偿刷新方法包括确定薄弱行的补偿时间间隔，基于薄弱行的自刷新时刻和补偿时间间隔，对薄弱行进行补偿刷新。这样，不改变DRAM内的原本的刷新电路对每一行的刷新，仅对薄弱存储单元额外再增加适当的刷新次数，可以通过简单的步骤完成补偿刷新，从而，保证了薄弱存储单元数据的稳定性，避免了数据的丢失。
附图说明
[0023]图1为本公开实施例提供的补偿刷新方法的流程示意图一；
[0024]图2为本公开实施例提供的补偿刷新装置示意图一；
[0025]图3为本公开实施例提供的补偿刷新方法的流程示意图二；
[0026]图4为本公开实施例提供的补偿刷新装置示意图二；
[0027]图5为本公开实施例提供的补偿刷新方法的流程示意图三；
[0028]图6为本公开实施例提供的补偿刷新方法的流程示意图四；
[0029]图7为本公开实施例提供的补偿刷新装置示意图三；
[0030]图8为本公开实施例提供的补偿刷新装置示意图四；
[0031]图9为本公开实施例提供的补偿刷新装置示意图五；
[0032]图10为本公开实施例提供的一种存储器的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种补偿刷新方法，其特征在于，所述方法包括：获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数；基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔；根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，并确定出所述薄弱行的自刷新时刻；根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述补偿系数，确定补偿时间间隔，包括：基于所述补偿系数确定补偿刷新次数；基于所述补偿刷新次数和预设的标准时间间隔，确定补偿时间间隔。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述补偿系数确定补偿刷新次数，包括：通过所述补偿系数与温度系数相乘，获得所述补偿刷新次数；其中，所述温度系数与温度相关，温度越高所述温度系数的取值越高。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取薄弱行的行地址和对应的补偿系数，包括：预设的标准时间间隔除以所述薄弱行的数据保持时间，所得之商向下取整，获得所述对应的补偿系数；其中，所述预设的标准时间间隔为不需要进行所述补偿刷新的正常行最小的数据保持时间。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄弱行的行地址、所述补偿刷新次数和所述补偿时间间隔均被寄存于管理列表；所述管理列表还寄存起始标志。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄弱行的行地址，匹配出所述薄弱行进行的自刷新，包括：在进行自刷新的过程中，依次将所述薄弱行的行地址与当前行地址进行匹配，以匹配出所述薄弱行进行的自刷新；所述当前行地址为当前进行自刷新的行地址。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述依次将所述薄弱行的行地址与当前行地址进行匹配，包括：在所述管理列表中，将所述起始标志设置为第一值；获取所述当前行地址；将所述当前行地址与所述薄弱行的行地址逐一进行匹配；若所述当前行地址属于所述薄弱行的行地址，则在所述管理列表中，重置所述薄弱行对应的补偿刷新次数，并将所述薄弱行对应的起始标志设置为第二值。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄弱行的自刷新时刻和所述补偿时间间隔，对所述薄弱行进行补偿刷新，包括：在所述管理列表中，确认所述薄弱行对应的起始标志；若所述起始标志为第二值，则以所述薄弱行的自刷新时刻为起始，每经过一次所述补偿时间间隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪净，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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